STR710的内部Flash读写

??????? 我是初学者，写这篇仅是个人理解。内部FLASH的读写不同与一般的Nand Flash的读写。我们下载程序大多数是下到内部Flash的 BANK 0中，一般的读写数据在BANK 1的0扇区和1扇区中，总共可以储存16K的数据。内部Flash具有写保护，任何对内部FLASH的写操作都必须在RAM中进行。当进行写操作以后内部FLASH中的FLASH_CR0寄存器的LOCK位会被置位后，任何读写都是无效的。只有等到该位被清零以后才能进行其他操作。所以必须把清零这段代码放在RAM中进行。

????? 方法：如果是直接调用KEIL中的库函数，就在加载文件（.sct）文件中添加

LR_IROM1 0x40000000 0x00040000? {??? ; load region size_region
? ER_IROM1 0x40000000 0x00040000? {? ; load address = execution address
?? *.o (RESET,+First)
?? *(InRoot$$Sections)
?? .ANY (+RO)
? }
? RW_IRAM1 0x20000000 0x00010000? {? ; RW data
?? flash.o(i.FLASH_WaitForLastTask)?? ；添加代码
?? .ANY (+RW +ZI)
? }
}

在main()中的程序为：

void flash(void)
{
?uint32 Read_Data;
?uint8? readnum[8];

?FLASH_Init();?????????? //初始化
?FLASH_WritePrConfig (FLASH_B1F0,DISABLE) ;?? //取消写保护
?FLASH_WaitForLastTask();
?FLASH_SectorErase (FLASH_B1F0) ;? //? 擦除 Bank 1 sector 0
?FLASH_WaitForLastTask();
?FLASH_WordWrite (0x0C0000,0x12345678) ;? //? 写 0x12345678 到 Bank 1 sector 0
?FLASH_WaitForLastTask();
??

??? Read_Data = FLASH_WordRead(0x0C0000);?// 在地址0x0C0000读数据

}

如果是用库中的调用.c文件中改为：

#pragma arm section code= "RAM_Function"???? //添加的内容

void FLASH_WaitForLastTask(void)
{
? /* Wait until the Flash controller acknowledges the end of the last
??? operation resetting the BSYAs and LOCK bits in the CR0 register */
? while((FLASH->CR0 & FLASH_FLAG_LOCKBSY) != RESET);
}

#pragma arm section??????????????????????????????? //添加的内容

在加载文件中改为：

RW_IRAM1 0x20000000 0x00010000?? 64K RAM
?? {?????
????? *.o(RAM_Function)???????????????????//添加的内容
????? .ANY (+RW +ZI)???
?? }

同时keil中的设置如下：

?