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sram sdram prom eprom eeprom norflash norfalsh pflash区别

发布时间:2020-12-15 19:50:49 所属栏目:百科 来源:网络整理
导读:我来教大家彻底搞清楚存储器 ram? ? ? ramdom ?access memory 随机访问存储器,可快速读写修改,但掉电丢失 sram static ram 静态随机存储器, 不需要刷新,高性能,体积大,集成度低,如cpu缓存 dram dynamic ram 动态随机存储器,需要刷新,如计算机内存 sd

我来教大家彻底搞清楚存储器


ram? ? ? ramdom?access memory随机访问存储器,可快速读写修改,但掉电丢失


sram static ram静态随机存储器,不需要刷新,高性能,体积大,集成度低,如cpu缓存


dram dynamic ram动态随机存储器,需要刷新,如计算机内存


sdram synchronous dram同步动态随机存储器,ddr内存条,sdram ddr,sdram ddr2 sdram ddr3


psram pseudo sram伪静态随机存储器,自带刷新,接口和sram一样,低功耗,容量大于sram小于sdram,支持突发模式


nvram non-volatile ram非易失性随机存储器,断电后认可保存数据


rom read only memory??只读存储器,读写速度慢,但掉电可保存数据


prom program rom可编程只读存储器,可编程仅一次


eprom erasable prom可擦除可编程只读存储器,需要光照擦除


eeprom electric eprom电科擦除可编程只读存储器


flash? ? ? ? ? ? ? ? ?flash eeprom 即可擦除又可快速读取数据,又称闪存,u盘和mp3,bootloader存储器,替代了eeprom


norflash ?nor falsh内部有sram,属于nvram,传输速度高、可直接运行应用程序,可以不用传到ram上运行,写入和擦除速度低,擦除前需要置零,读取nor比nand快一些,容量没nand大


nandflash? ?nand flash存储密度大,擦除简单,擦除和写入比nor快很多,但需要特殊的系统接口单元


emmc? ? ? ? ? ? ? ?nand + 主控ic+mmc卡便于开发

(编辑:李大同)

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