STM32F10x Flash 模拟 EEPROM

发布时间：2020-12-15 20:06:58 所属栏目：百科来源：网络整理

导读：STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。ST网站有个Flash模拟EEPROM的范例：AN2594: EEP

STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。ST网站有个Flash模拟EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包括源码和文档）。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。

　　不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：

支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
增加对数据的校验和（Checksum）检查。

　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组?title?和一个?point?结构体：

 
  #include 
  ?"eeprom.h" 
 

   ? 
  
 
  #define 
  ?TITLE_SIZE????80 
 
 
  #define 
  ?TITLE_KEY?????1 
 
 
  #define 
  ?POINT_KEY?????2 
 

   ? 
  
 
  typedef? 
  struct? 
  { 
 

   ? 
  ? 
  ? 
  ? 
  float? 
  x 
  ; 
 

   ? 
  ? 
  ? 
  ? 
  float? 
  y 
  ; 
 

   ? 
  ? 
  ? 
  ? 
  float? 
  z 
  ; 
 
 
  }? 
  Point 
  ; 
 

   ? 
  
 
  char? 
  title 
  [ 
  TITLE_SIZE 
  ]? 
  =? 
  "eeprom?test?string." 
  ; 
 
 
  Point? 
  point 
  ; 
 

　　执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：

uint16_t? result? =? 0 ;

FLASH_Unlock ( ) ;

EE_Init ( ) ;

result? =? memcpy_to_eeprom_with_checksum ( TITLE_KEY ,? title ,? TITLE_SIZE ) ;

result? =? memcpy_to_eeprom_with_checksum ( POINT_KEY ,? & point ,85)">sizeof ( point )) ;

result? =? memcpy_from_eeprom_with_checksum ( title ,? TITLE_KEY ,85)">=? memcpy_from_eeprom_with_checksum ( POINT_KEY ,85)">sizeof ( point )) ;

　　实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中?EEPROM_START_ADDRESS?的定义：

#define ?EEPROM_START_ADDRESS????((uint32_t)0x0807F000)

转自http://blog.sina.com.cn/s/blog_a486791c0101fik8.html

（编辑：李大同）

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