NAND flash替换问题
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原flash： SAMSUNG K9K8G08U0B 新flash：SPANSION ?S32ML08G201TF100 简单介绍：K9K8G08U0B与?S32ML08G201TF100很相似，都是8Gbits，页大小都是2048bytes 但K9K8G08U0B的SPARE AREA为每页64B，S32ML08G201TF100为128B 问题是这样的：1.生产了50块板，这些板都是用的新flash，但程序烧录的却是老flash的程序 板子全都起不来 2.板子起不来，就想着通过JTAG（BDI3000）引导ram版的uboot，然后将程序写入nand，但bdi检查不通过，表示cpu已经跑飞了... 问题分析：
1.按道理讲，通过JTAG load起来的ram uboot将uboot的原始程序通过nand write往nand写的时候，是有计算校验的，
我的意思是这个校验是cpu加上的，尽管nand不同，但写入的数据是一样的。通过烧写器（希尔特6100）将芯片内容读出对比也确实证明了这一点。
数据完全一样，新flash却起不来。
冷静思考解决办法，通过修改烧录器的配置字参数，终于有一片flash，bdi可以检查通过，ram uboot跑起来了。
通过nand dump命令查看flash的内容，发现！！！
发现第一页数据都正常，但是第二页却出现了偏差，数据前移了64B，正好卡上下面这张图
道理就是这样，S32ML08G201TF100有128B的SPARE AREA，校验虽然只有64B，但后面的数据会继续填满这128B，这就导致再后面的数据每页往前移动64B
2.按道理来讲，bdi可以配置target（也就是cpu）reset后立刻挂起，进入debug模式，既然reset后等在那，说明cpu什么也没有执行，怎么会跑飞呢？
将芯片格了，bdi就OK了，果然跟数据有关，也就是说，cpu上电或bdi进行reset，cpu是会执行nand中的代码的。
后来想到，毕竟是nand，cpu的nand控制器定会自动将nand的前4K load到SRAM的，然后CPU会小跑一段？
那只能来硬的了，查看cpu手册，将cpu的上电启动改了
原来cpu本身就支持多种上电启动，有ram，nand，reserve...
暂时将cpu的上电改为reserve，bdi可以识别，也可以烧录。
附：给领导的文档
关于新flash芯片SPANSION S32ML08G201TF100，烧录进程序后，设备无法启动问题 问题分析芯片特性差异： 老芯片 SAMSUNG K9K8G08U0B 的PAGE大小为 (2048+64) bytes 新芯片S32ML08G201TF100的PAGE大小为(2048+128) bytes 差异部分为SPARE AREA区域，也就是存放ECC校验的区域 ? CPU方面仍然按(2048+64) bytes大小提取程序，烧录器按(2048+128) bytes烧录 导致程序烧录进去后按每个PAGE向前移动64 bytes，程序乱了板子也就起不来了。 解决办法按照新芯片的特性，将提取到的程序在每(2048+64) bytes后填充64bytes的校验，补齐到(2048+128) bytes。经过特殊处理后的程序验证通过 ? 注意：新老芯片页大小不同，最终的离线烧录程序不同 ? 由于已经烧录过的芯片，bdi3000无法识别，只能将芯片取下，重新烧录后，再将芯片焊上 烧录器配置烧录时间：烧录一块芯片的时间大约为25秒 ? 烧录器配置： ? 器件配置字：
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