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【补充】NAND FLASH大页和小页的区别

发布时间:2020-12-15 19:54:13 所属栏目:百科 来源:网络整理
导读:NAND FLASH有两类:大页的NAND和小页的NAND。每种NAND的一页中都有数据段(datafield)和附加段(Spare Field),datafield用于存放数据用的,Spare Field读写操作的时候存放校验码用的,大页的NAND中数据段2048B、附加段64B;小页的NAND中数据段512B、附加段16B
NAND FLASH有两类:大页的NAND和小页的NAND。每种NAND的一页中都有数据段(datafield)和附加段(Spare Field),datafield用于存放数据用的,Spare Field读写操作的时候存放校验码用的,大页的NAND中数据段2048B、附加段64B;小页的NAND中数据段512B、附加段16B。
小页的NAND是:One page = 512B(datafield) + 16B(Spare Field),One block =
32page
大页的NAND是:One page = 2048B(datafield) + 64B(Spare Field),One block = 64page or 128page
注:一块NAND FLASH中的所有页可以不按顺序烧写。
对于烧写大页的NAND有这样的要求:在一页中,数据段在2次擦除之间的编程操作不能超过四次,附加段在2次擦除之间的编程操作不能超过四次。
对于烧写小页的NAND有相似的要求:在一页中,数据段在2次擦除之间的编程操作不能超过两次,附加段在2次擦除之间的编程操作不能超过三次。

(编辑:李大同)

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