NOR Flash 和 NAND Flash 比较

性能比较

?? ?Flash 闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何 flash 器件的写入操作只能在空或已
擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND 器件执行擦除操作是十分简单的，
而 NOR 则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为 0。
??由于擦除 NOR 器件时是以 64～128KB 的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为 5s，与此相反，擦除 NAND 器件
是以 8～32KB 的块进行的，执行相同的操作最多只需要 4ms。
??执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了 NOR 和 NADN 之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是
更新小文件时更多的擦除操作必须在基于 NOR 的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项
因素。
?? ?● NOR 的读速度比 NAND 稍快一些。
?? ?● NAND 的写入速度比 NOR 快很多。
?? ?● NAND 的 4ms 擦除速度远比 NOR 的 5s 快。

?? ?● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。

?? ?● NAND 的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

接口差别
?? ?NOR flash 带有 SRAM 接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
?? ?NAND 器件使用复杂的 I/O 口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8 个引脚用来传送控制、地址
和数据信息。
?? NAND 读和写操作采用 512 字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于 NAND 的存储器就可以取代
硬盘或其他块设备。

容量和成本
?? ?NAND flash 的单元尺寸几乎是 NOR 器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND 结构可以在给定的模具尺寸内提供
更高的容量，也就相应地降低了价格。
?? ?NOR flash 占据了容量为 1～16MB 闪存市场的大部分，而 NAND flash 只是用在 8～128MB 的产品当中，这也说明 NOR

?? 主要应用在代码存储介质中，NAND 适合于数据存储，NAND 在 CompactFlash、Secure Digital、PC Cards 和 MMC 存储卡

?? 市场上所占份额最大。

可靠性和耐用性
?? ?采用 flahs 介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展 MTBF 的系统来说，Flash 是非常合适的存储方案。
可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较 NOR 和 NAND 的可靠性。

寿命(耐用性)
?? ?在 NAND 闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而 NOR 的擦写次数是十万次。NAND 存储器除了具有 10 比 1 的
块擦除周期优势，典型的 NAND 块尺寸要比 NOR 器件小 8 倍，每个 NAND 存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

位交换
?? ?所有 flash 器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND 发生的次数要比 NOR 多)，一个比特位会发生反
转或被报告反转了。
??一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，
多读几次就可能解决了。
??当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于 NAND 闪存，
NAND 的供应商建议使用 NAND 闪存的时候，同时使用 EDC/ECC 算法。
??这个问题对于用 NAND 存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其
他敏感信息时，必须使用 EDC/ECC 系统以确保可靠性。

坏块处理
?? ?NAND 器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。
?? ?NAND 器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方
?? ?法不能进行这项处理，将导致高故障率。 ??

易于使用
??可以非常直接地使用基于 NOR 的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。
??由于需要 I/O 接口，NAND 要复杂得多。各种 NAND 器件的存取方法因厂家而异。
??在使用 NAND 器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向 NAND 器件写入信息需要相当的技巧，因为
??设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在 NAND 器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

软件的角度来考虑

1.什么是nand,什么是nor?nand启动与nor启动的区别及联系。

1）在NOR FLASH里面可以直接执行代码，而在NAND FLASH里面不可以，在2410里面，如果选择NAND启动方式的话，NAND里的代码是被拷贝到RAM里面去执行的。

2）NAND FLASH每次取数据前要写入好像是0X55,0XAA才行，而NOR FLASH直接取到数据。

3）NOR FLASH地址线和数据线分开，来了地址和控制信号，数据就出来。NAND Flash地址线和数据线在一起，需要用程序来控制，才能出数据。

4）Nor flash 带有通用的SRAM接口

5）Nand flash 器件使用复杂的I/O 口串行地存取数据

2.ARM的nor flash与nand flash启动过程区别

当从NAND启动时

cpu会自动从NAND flash中读取前4KB的数据放置在片内SRAM里（s3c2440是soc），同时把这段片内SRAM映射到nGCS0片选的空间（即0x00000000）。cpu是从0x00000000开始执行，也就是NAND flash里的前4KB内容。因为NAND FLASH连地址线都没有，不能直接把NAND映射到0x00000000，只好使用片内SRAM做一个载体。通过这个载体把nandflash中大代码复制到RAM(一般是SDRAM)中去执行

当从非NAND flash启动时

??? nor flash被映射到0x00000000地址（就是nGCS0，这里就不需要片内SRAM来辅助了，所以片内SRAM的起始地址还是0x40000000）. 然后cpu从0x00000000开始执行（也就是在Norfalsh中执行）。