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flash memory

发布时间:2020-12-15 17:37:57 所属栏目:百科 来源:网络整理
导读:SSD(solid state drive)是一种利用flash芯片或者DRAM芯片作为数据永久存储的硬盘,这里不能再叫磁盘了,因为flash drive 不再使用磁技术存储数据。其中flash drive与DRAM的区别是DRAM其内部利用SDRAM内存条存储数据,所有在外部电源断开后,需要使用电池来

SSD(solid state drive)是一种利用flash芯片或者DRAM芯片作为数据永久存储的硬盘,这里不能再叫磁盘了,因为flash drive 不再使用磁技术存储数据。其中flash drive与DRAM的区别是DRAM其内部利用SDRAM内存条存储数据,所有在外部电源断开后,需要使用电池来维持DRAM中的数据。基于flash介质的SSD,所有的ROM和flash芯片都是使用一种叫做“浮动门场效应晶体管”的晶体管保存数据,每个这样的晶体管叫一个cell 也就是单元。有两种类型的cell Single Level cell(SLC)每个cell 保存1B数据,第二种是Multi Level cell(MLC)每个cell保存2B数据。cell是电子,也就是只能带负电荷,不能带正电荷,所有cell只有两种状态,带电表示0,不带电表示1,


flash芯片的读是以page为单位的,也就是SSD的IO最小单位是1个page。但是对flash芯片的写入有一些特殊的步骤,flash芯片要求在修改一个I饿cell中的位的时候,在修改之前必须先erase即擦出这个cell。这里的erase动作就是将一大片连续的cell一下子全部放电,全变为1,这一片连续的cell是一个block,也就是每次erase只能擦除一整个block。然后向其中写入数据,如果刚好是1则不动作,如果是0则改变其电位,这个写0 的的动作也叫program。

(编辑:李大同)

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