nand原理

NandFlash原理
据物理结构区别，NandFlash主要分如下两类：
?SLC (Single Level Cell)：单层式存储
?MLC (Multi Level Cell)：多层式存储
在存储格上，SLC只存一位数据，而MLC存两位数据

价格：MLC采用更高密度存储方式，因此同容量MLC价格远低于SLC 访问速度：SLC访问速度比MLC快3倍以上 使用寿命：SLC能进行10万次擦写，MLC能进行1万次 功耗：MLC功耗比SLC高15%左右 内存统一编址，nand独立编址 210开发板nand为SLC 512M，使用8个IO口先传addr，再传cmd(读写擦除)，最后传data 1 Page = (2K + 64)Bytes 1 Block = (2K + 64)B x 64 Pages = (128K + 4K) Bytes 1 Device = (2K+64)B x 64Pages x 4096 Blocks = 4,224 Mbits //参考K9F4G08U0B p8 行地址为页编号，列地址为页内偏移 1. CLE(Command Latch Enable): 命令锁存允许 2. ALE(Address Lactch Enable): 地址锁存允许 3. CE:芯片选择 4. RE:读允许 5. WE:写允许 6. WP:在写或擦除期间，提供写保护 7. R/B:读/忙