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nand原理

发布时间:2020-12-15 17:36:12 所属栏目:百科 来源:网络整理
导读:NandFlash原理 据物理结构区别,NandFlash主要分如下两类: ?SLC (Single Level Cell):单层式存储 ?MLC (Multi Level Cell):多层式存储 在存储格上,SLC只存一位数据,而MLC存两位数据 价格:MLC采用更高密度存储方式,因此同容量MLC价格远低于SLC 访问速
NandFlash原理
据物理结构区别,NandFlash主要分如下两类:
?SLC (Single Level Cell):单层式存储
?MLC (Multi Level Cell):多层式存储
在存储格上,SLC只存一位数据,而MLC存两位数据

价格:MLC采用更高密度存储方式,因此同容量MLC价格远低于SLC 访问速度:SLC访问速度比MLC快3倍以上 使用寿命:SLC能进行10万次擦写,MLC能进行1万次 功耗:MLC功耗比SLC高15%左右 内存统一编址,nand独立编址 210开发板nand为SLC 512M,使用8个IO口先传addr,再传cmd(读写擦除),最后传data 1 Page = (2K + 64)Bytes 1 Block = (2K + 64)B x 64 Pages = (128K + 4K) Bytes 1 Device = (2K+64)B x 64Pages x 4096 Blocks = 4,224 Mbits //参考K9F4G08U0B p8 行地址为页编号,列地址为页内偏移 1. CLE(Command Latch Enable): 命令锁存允许 2. ALE(Address Lactch Enable): 地址锁存允许 3. CE:芯片选择 4. RE:读允许 5. WE:写允许 6. WP:在写或擦除期间,提供写保护 7. R/B:读/忙

(编辑:李大同)

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