flash 区别
发布时间：2020-12-15 17:29:59 所属栏目：百科 来源：网络整理
导读：快闪存储器芯片又分为NAND和NOR两种类，其主要区别在于其操作方式和存取时间的不同。NAND类型Flash通常称之为串行Flash，其操作指令、操作地址和操作数据是通过同一个8位总线传输，具有较少的硬件连接。NOR类型Flash通常称之为并行Flash，其地址总线和数据总
快闪存储器芯片又分为NAND和NOR两种类，其主要区别在于其操作方式和存取时间的不同 。NAND类型Flash通常称之为串行Flash，其操作指令、操作地址和操作数据是通过同一 个8位总线传输，具有较少的硬件连接。NOR类型Flash通常称之为并行Flash，其地址总 线和数据总线是分开的，存取速度较快，但硬件连接较多。 ---------------------------- Flash Memory的标准物理结构，称之为基本位（cell），其特色为一般MOS的闸极（Gat e）和通道的间隔为氧化层之绝缘（gate oxide），而Flash Memory在控制闸（Control gate）与通道间却多了一层物质，称之为浮闸（floating gate）。拜多了这层浮闸之 赐，使得Flash Memory可以完成三种基本操作模式，亦即读（一个byte或word）、写（ 一个byte或word）、抹除（一个或多个内存空间），就算在不提供电源给内存的环境下 ，也能透过此浮闸，来保存数据的完整性。 由于浮闸的物理特性与结构，使得当浮闸被注入负电子时，此一cell就由数位”1”被写 成”0”，相对的，当负电子从浮闸中移走后，此一cell就由数字”0”变成”1”，此过 程称之为抹除。目前产业界有许多将负电子注入浮闸或移除技术的探讨，其中热电子注 入法（hot-electron injection），是当源极（source）接地，控制闸的电压大于汲极 （Drain）的电压时，浮闸与通道间氧化层的能量带会变得很狭隘，因此在通道中的负电 子会被加速自信道上跳到浮闸中，进而完成写的动作。同样的原理可以运用在抹除的功 能上，当控制闸接地且source接至一个高压时，浮闸上的负电子将会自浮闸中拉至sour ce，进而完成抹除的动作。Flash Memory就是透过这种负电子存放或移除于浮闸的原理 ，使得本身具有重复读写的特性。 Flash的种类 根据内存晶体管设计架构之不同可分为Cell Type以及Operation Type两种，Cell Type 又可分为Self-Aligned Gate（Stack Gate）以及Split gate两种，前者以Intel为代表 ，后者则被Toshiba、SST（硅碟）等厂商所采用；至于Operation Type，依据功能别又 可区分为Code Flash（储存程序代码）以及Data Flash（储存一般数据），Code Flash 动作方式有NOR及DINOR两种，而Data Flash动作方式则有NAND及AND两种，其中Code Fl ash主要以NOR型为主，储存系统程序代码及小量数据，多半应用于PC、通讯移动电话、 PDA、STB等产品上；而Data Flash则是以NAND型为主，用于储存大量数据，主要应用范 围包括DSC、MP3等所需要的各式规格的小型记忆卡。 另： （编辑：李大同） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |