Nand Flash数据存储规则与数据读写方法(一)
NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell,一般来说,一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8 个或者16 个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND Device 的位宽。这些Line 会再组成Page,(Nand Flash 有多种结构,我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M),每页528Byte,每32 个page 形成一个Block, Sizeof(block)=16kByte 。 block=16kbyte, 512Mbit=64Mbyte, Numberof(block)=4096 1block=32page, ?1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area) 注:某块中的大部份页数据不需要,小部份页还是有效数据,此时可以将小部份页迁移到别的块,然后擦除该块。称之为垃圾页回收。 按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址: --Block Address -- Page Address --Column Address 。 对于NAND Flash 来讲,地址和命令只能在I/O[7:0]上传递,数据宽度是8 位。 512byte需要9bit来表示,对于528byte系列的NAND,这512byte被分成1st half和2nd half,各自的访问由地址指针命令来选择,A[7:0]就是所谓的column address。32 个page 需要5bit 来表示,占用A[13:9],即该page 在块内的相对地址。Block的地址是由A14 以上的bit 来表示,例如512Mb 的NAND,共4096block,因此,需要12 个bit 来表示,即A[25:14],如果是1Gbit 的528byte/page的NAND Flash,则block address用A[26:24]表示。 而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示为: Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。 由于地址只能在I/O[7:0]上传递,因此,必须采用移位的方式进行。 例如,对于512Mbit x8 的NAND flash,地址范围是0~0x3FF_FFFF,只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。 下面,就x16 的NAND flash 器件稍微进行一下说明。 由于一个page 的main area 的容量为256word,仍相当于512byte。但是,这个时候没有所谓 的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了,所以,bit8就变得没有意义了,也就是这个时候 bit8 完全不用管,地址传递仍然和x8 器件相同。除了,这一点之外,x16 的NAND使用方法和 x8 的使用方法完全相同。 正如硬盘的盘片被分为磁道,每个磁道又分为若干扇区,一块nand flash也分为若干block,每个block分为如干page。一般而言,block、page之间的关系随着芯片的不同而不同,典型的分配是这样的:
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