剖析NAND Flash的编程结构

剖析NAND Flash的编程结构

分区（Partition）

? ?? ???定义分区的实质是定义数据会如何写入NAND Flash，不同内容的数据写到对应的地址中。一般用户会有多个区，比如boot、kernel、fs、user等分区。

? ?? ???分区的描述：分区的地址范围（起始块、结束块），镜像文件大小（Image Size）。

? ?? ???分区的数据存储：镜像文件是从分区的起始块开始存放，如果分区中有坏块，将使用坏块处理策略替换坏块，直到镜像文件结束，如果分区中不够好块存放镜像文件，则烧录失败。

? ?? ???如下图是跳过坏块的镜像文件分区烧写示意图：

备用区（OOB）的ECC

? ?? ???ECC 存在于NAND 每页的备用区（Spare Area）中，它允许外部系统发现主区的数据是否有误。在大多数情况下，ECC 算法可以纠正误码，NandFlash在使用中也可能会出现坏块，所以ECC是非常有必要的。

? ?? ???不同的用户会可能会使用不同的ECC算法，一般来说ECC算法由处理器供应商提供，如果编程器软件中无这个ECC算法，则需要用户提供ECC算法源代码。

? ?? ???如果用户不使用调入文件，而是使用读母片的方式烧录，并且无动态数据，则可以不考虑ECC算法，因为母片中的备用区已计算好ECC，直接将母片的备用区拷贝至其他芯片即可。

坏块管理（Bad Block Management）

? ?? ???坏块处理策略定义了在遇到坏块时算法应该如何处理，基本的坏块处理策略有：跳过坏块、替换表（预留块区Reserve BlockArea，RBA）等等。

硬拷贝

? ?? ???硬拷贝其实就是遇到坏块什么都不处理，不管好块还是坏块直接烧写，即使校验数据不一致也不报错；

跳过坏块

? ?? ???跳过坏块就是遇到坏块跳到下一个好块烧；