加入收藏 | 设为首页 | 会员中心 | 我要投稿 李大同 (https://www.lidatong.com.cn/)- 科技、建站、经验、云计算、5G、大数据,站长网!
当前位置: 首页 > 百科 > 正文

基于MTD的NANDFLASH设备驱动底层实现原理分析(三)

发布时间:2020-12-15 06:37:55 所属栏目:百科 来源:网络整理
导读:非 常 的说:我突然发现在写这些关于NAND驱动的文章的时候,原来我一直是在改写别人的博客。。。。。其实这并不要紧的,我也觉得这不仅仅是一种比较好的学习方法了,为什么呢,因为当我在看他的博客的时候,我明白了一点,然后当我自己要写的时候。。对这个东东

的说:我突然发现在写这些关于NAND驱动的文章的时候,原来我一直是在改写别人的博客。。。。。其实这并不要紧的,我也觉得这不仅仅是一种比较好的学习方法了,为什么呢,因为当我在看他的博客的时候,我明白了一点,然后当我自己要写的时候。。对这个东东又进一步了解一点了。。呵呵Copy也分档次了

五、硬件时序到软件代码的演变过程对nand_base.c部分代码的分析

该文件位于</linux2.6.35/dricer/mtd/nand/nand_base.c>

还是把那个读NAND的硬件时序图给贴上,如下图:

???

①:此阶段,是读命令第一个周期,发送的命令为0x00。
②:此阶段,依次发送列地址,关于这些行地址,列地址等是如何计算出来的,后面的内容
会有详细解释。
③:此阶段是发送对应的行地址
④:此阶段是发送读命令第二周期 2nd cycle所对应的命令,0x30
⑤:此阶段是等待时间,等待 Nand Flash硬件上准备好对应的数据,以便后续读出。
⑥:此阶段,就是一点点地把所需要的数据读出来。

MTD 读取数据的入口是 nand_read,然后调用 nand_do_read_ops,此函数主体如下:

static int nand_do_read_ops(struct mtd_info *mtd,loff_t from,
?? ??? ??? ???? struct mtd_oob_ops *ops)
{
??? /***此处省略部分代码**/

??? 。。。。。。。。。。。。。。

??? while(1) {
?????????? /******省略****/

????????? .。。。。。。。。。。。。。。。

?? ??? ???? if (likely(sndcmd)) {/*#define NAND_CMD_READ0 0*/

??????????????? /*1)***读取数据前肯定要先发送对应的读页命令******/

?? ??? ??? ???? chip->cmdfunc(mtd,NAND_CMD_READ0,0x00,page);
?? ??? ??? ??? ?sndcmd = 0;
?? ??? ??? ?}

?? ??? ??? ?/* Now read the page into the buffer */
?? ??? ??? ?if (unlikely(ops->mode == MTD_OOB_RAW))
?? ??? ??? ??? ?ret = chip->ecc.read_page_raw(mtd,chip,
?? ??? ??? ??? ??? ??? ??? ?????? bufpoi,page);
?? ??? ??? ?else if (!aligned && NAND_SUBPAGE_READ(chip) && !oob)
?? ??? ??? ??? ?ret = chip->ecc.read_subpage(mtd,col,bytes,bufpoi);
?? ??? ??? ?else

???????????? /******执行到这里read_page函数读取对应的数据了******/

?? ??? ??? ???? ret = chip->ecc.read_page(mtd,bufpoi,
?? ??? ??? ??? ??? ??? ??? ?? page);
?? ??? ??? ?if (ret < 0)
?? ??? ??? ??? ?break;

?? ??? ??? ?/* Transfer not aligned data */
?? ??? ??? ?if (!aligned) {
?? ??? ??? ??? ?if (!NAND_SUBPAGE_READ(chip) && !oob)
?? ??? ??? ??? ??? ?chip->pagebuf = realpage;
?? ??? ??? ??? ?memcpy(buf,chip->buffers->databuf + col,bytes);
?? ??? ??? ?}

?? ??? ??? ?buf += bytes;
?? ?????? 。。。。。。。。。。。。。。。。。。

?? ?if (mtd->ecc_stats.failed - stats.failed)
?? ??? ?return -EBADMSG;

?? ?return? mtd->ecc_stats.corrected - stats.corrected ? -EUCLEAN : 0;
}

上面这些代码都不需要我们去实现的,使用MTD层的自定义代码就行。。。

nand_command_lp的分析

static void nand_command_lp(struct mtd_info *mtd,unsigned int command,
?? ??? ??? ???? int column,int page_addr)
{
?? ?register struct nand_chip *chip = mtd->priv;

?? ?/* Emulate NAND_CMD_READOOB */
?? ?if (command == NAND_CMD_READOOB) {
?? ??? ?column += mtd->writesize;
?? ??? ?command = NAND_CMD_READ0;
?? ?}

?? ?/* Command latch cycle */

?? /* 此处就是就是发送读命令的第一个周期1st Cycle的命令,即0x00,对应着上述步骤中的① */

??? chip->cmd_ctrl(mtd,command & 0xff,
?? ??? ??????? NAND_NCE | NAND_CLE | NAND_CTRL_CHANGE);

?? ?if (column != -1 || page_addr != -1) {
?? ??? ?int ctrl = NAND_CTRL_CHANGE | NAND_NCE | NAND_ALE;

?? ??? ?/* Serially input address */
?? ??? ?if (column != -1) {
?? ??? ??? ?/* Adjust columns for 16 bit buswidth */
?? ??? ??? ?if (chip->options & NAND_BUSWIDTH_16)
?? ??? ??? ??? ?column >>= 1;

????????? /* 发送两个column列地址,对应着上述步骤中的② */

?? ??? ???? chip->cmd_ctrl(mtd,column,ctrl);/*发送列地址1*/
?? ??? ??? ?ctrl &= ~NAND_CTRL_CHANGE;
?? ??? ??? ?chip->cmd_ctrl(mtd,column >> 8,ctrl);/*发送列地址2*/
?? ??? ?}
?? ??? ?if (page_addr != -1) {

????????? /* 接下来是发送三个Row,行地址,对应着上述步骤中的② */

?? ??? ???? chip->cmd_ctrl(mtd,page_addr,ctrl);/*发送行地址1*/
?? ??? ??? ?chip->cmd_ctrl(mtd,page_addr >> 8,/*发送行地址2*/
?? ??? ??? ??? ??????? NAND_NCE | NAND_ALE);
?? ??? ??? ?/* One more address cycle for devices > 128MiB */
?? ??? ??? ?if (chip->chipsize > (128 << 20))
?? ??? ??? ??? ?chip->cmd_ctrl(mtd,page_addr >> 16,/*发送行地址3*/
?? ??? ??? ??? ??? ??????? NAND_NCE | NAND_ALE);
?? ??? ?}
?? ?}
?? ?chip->cmd_ctrl(mtd,NAND_CMD_NONE,NAND_NCE | NAND_CTRL_CHANGE);

?? ?/*
?? ? * program and erase have their own busy handlers
?? ? * status,sequential in,and deplete1 need no delay
?? ? */
?? ?switch (command) {
。。。。。。。。。。。。。
?? ??? ?return;
?? /***复位**/
?? ?case NAND_CMD_RESET:
?? ??? ?if (chip->dev_ready)
?? ??? ??? ?break;
?? ??? ?udelay(chip->chip_delay);
?? ??? ?chip->cmd_ctrl(mtd,NAND_CMD_STATUS,
?? ??? ??? ??????? NAND_NCE | NAND_CLE | NAND_CTRL_CHANGE);
?? ??? ?chip->cmd_ctrl(mtd,
?? ??? ??? ??????? NAND_NCE | NAND_CTRL_CHANGE);
?? ??? ?while (!(chip->read_byte(mtd) & NAND_STATUS_READY)) ;
?? ??? ?return;
??? /*读忙信号*/
?? ?case NAND_CMD_RNDOUT:
?? ??? ?/* No ready / busy check necessary */
?? ??? ?chip->cmd_ctrl(mtd,NAND_CMD_RNDOUTSTART,
?? ??? ??? ??????? NAND_NCE | NAND_CTRL_CHANGE);
?? ??? ?return;
/* 接下来发送读命令的第二个周期2nd Cycle的命令,即0x30,对应着上述步骤
中的④ */
?? ?case NAND_CMD_READ0:
?? ??? ?chip->cmd_ctrl(mtd,NAND_CMD_READSTART,
?? ??? ??? ??????? NAND_NCE | NAND_CTRL_CHANGE);

?? ??? ?/* This applies to read commands */
?? ?default:
?? ??? ?/*
?? ??? ? * If we don't have access to the busy pin,we apply the given
?? ??? ? * command delay
?? ??? ? */
?? ??? ?if (!chip->dev_ready) {
?? ??? ??? ?udelay(chip->chip_delay);
?? ??? ??? ?return;
?? ??? ?}
?? ?}

?? ?/* Apply this short delay always to ensure that we do wait tWB in
?? ? * any case on any machine. */

/* 此处是对应着④中的tWB的等待时间*/

??? ndelay(100);
/* 接下来就是要等待一定的时间,使得Nand Flash硬件上准备好数据,以供你之
后读取,即对应着步骤⑤ */
?? ?nand_wait_ready(mtd);
}

还有一个步骤没有实现那就是步骤了一点一点的把数据读出来

?nand_read_page_hwecc分析

static int nand_read_page_hwecc(struct mtd_info *mtd,struct nand_chip *chip,
?? ??? ??? ??? ?uint8_t *buf,int page)
{
?? 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
?? ?for (i = 0; eccsteps; eccsteps--,i += eccbytes,p += eccsize) {
?? ??? ?chip->ecc.hwctl(mtd,NAND_ECC_READ);

???????? /**这个最重要了这才是真正的从NAND的缓冲区中把数据给读出来****/

?? ???? chip->read_buf(mtd,p,eccsize);
?? ??? ?chip->ecc.calculate(mtd,&ecc_calc[i]);
?? ?}

?

? 。。。。。。。。。。
?? ?return 0;
}

上面的 read_buf,就是真正的去读取数据的函数了,由于不同的Nand Flash controller 控制器所实现的方式不同,所以这个函数必须在你的 Nand Flash驱动中实现,即MTD 层,能帮我们实现的都实现了,不能实现的,那肯定是我们自己的事情了。。。接下来的工作是什么?MTD原始设备和硬件驱动层的交互了.这个才是我们要去真正实现的。。

(编辑:李大同)

【声明】本站内容均来自网络,其相关言论仅代表作者个人观点,不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利,请及时与联系站长删除相关内容!

    推荐文章
      热点阅读