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Linux MTD下获取Nand flash各个参数的过程的详细解析
摘要
本文主要介绍了Nand Flash的一些背景知识和术语,然后详尽分析了Linux的MTD中的nand_base.c中的nand_get_flash_type函数每一步骤的功能。
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修订历史 |
修订 1.0 |
2009-07-28 |
crl |
- 详细解析了Linux MTD下获取Nand flash各个参数的具体过程
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修订 1.1 |
2012-08-09 |
crl |
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版权 ? 2012 Crifan,?http://crifan.com
本文章遵从:署名-非商业性使用 2.5 中国大陆(CC BY-NC 2.5)
目录
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1. 看此文之前,一些有必要先解释的术语
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1.1. Program(编程)
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1.2. Datasheet(数据手册)
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1.3. Erasesize / Writesize
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1.4. Spare Area / Redundant Area / OOB
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1.5. Page Register(页寄存器)
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1.6. Chip和Plane
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2. 代码详细解析
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2.1. 解析函数
nand_get_flash_type
目录
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1.1. Program(编程)
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1.2. Datasheet(数据手册)
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1.3. Erasesize / Writesize
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1.4. Spare Area / Redundant Area / OOB
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1.5. Page Register(页寄存器)
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1.6. Chip和Plane
摘要 下面是Linux MTD中,获取nand flash型号,各个参数,以及硬件特性的函数,其实也就是
nand_get_flash_type ,下面对其详细解析:
此处的编程,不是写软件,写代码,而是对于硬件来说的,可以理解为对硬件编程,只不过其工具是硬件内部的逻辑,而不是你用的软件。对Nand Flash的编程,本质上就是实现写操作,将数据写到Nand Flash里面去,所以对于nand flash,可以简单的理解为 program编程=write写(数据)。
这个词,本来没啥好说的,接触多了,自然就知道了。但是对于和我类似,最开始接触的时候,就是没搞懂这个词的具体含义。其中文翻译,一般称作,数据手册,意思就是,一个关于描述硬件各个硬件特性,参数以及/或者如何操作,如何使用的文档。
1.3.?Erasesize / Writesize
这个是Linux MTD中,关于块大小和页大小的别名,第一次见到的时候,把我搞糊涂了,后来才慢慢明白的。因为,nand 操作的写基本单位页,所以,writesize,对应的就是pagesize,页大小。而擦除操作的基本单位是blocksize,块大小,所以也叫它erasesize。在此简单提一下这几个名词,方便和我遇到类似问题的朋友。
1.4.?Spare Area / Redundant Area / OOB
nand flash中每一页对应一块区域,用于存放校验的ECC数据和其他一些信息,比如上层文件系统放的和自己文件系统相关的数据。这个区域,在Linux MTD相关系统中,被称作oob(out of band),可以翻译为带外,也就是nand flash的一个页,可以称作一个band,band之外,对应的就是指那个多出来的,特殊的区域了。而nand flash的datasheet中,一般成为spare area,可译为空闲区域,另外,在ID的含义解释中也叫做redundant area,可译为冗余区域,归根结底,都是一个含义。不要被搞糊涂了就好。
nand flash硬件中的一块地方,名字叫做register,实际就是一个数据缓存,一个buffer,用于存放那些从flash读出来或者将要写入到flash中的。其实叫做页缓存,更合适,更容易明白其含义。此页寄存器的大小=页大小+ oob 大小,即pagesize+oob,对于常见的页是2KB的,此页寄存器就是2KB+64=2112字节。
对于chip,其实任何某个型号的flash,都可以称其是一个chip,但是实际上,此处的chip,是针对内部来说的,也就是某型号的flash,内部有几个chip,比如下面会举例说到的,三星的2GB的K9WAG08U1A芯片(可以理解为外部芯片/型号)内部装了2个单片是1GB的K9K8G08U0A,此时就称 K9WAG08U1A内部有2个chip,而有些单个的chip,内部又包含多个plane,比如上面的K9K8G08U0A内部包含4个单片是2Gb的Plane。只有搞清楚了此处的chip和plane的关系,才能明白后面提到的多页(Multi Plane / Multi Page)编程和交互(interleave)编程的含义。
目录
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2.1. 解析函数
nand_get_flash_type
摘要 详细代码可以在这里找到:
linux/drivers/mtd/nand/nand_base.c
2.1.?解析函数nand_get_flash_type
2407/*
2408 * Get the flash and manufacturer id and lookup if the type is supported
2409 */
2410static struct nand_flash_dev *nand_get_flash_type(struct mtd_info *mtd,2411 struct nand_chip *chip,2412 int busw,int *maf_id)
2413{
2414 struct nand_flash_dev *type = NULL;
2415 int i,dev_id,maf_idx;
2416 int tmp_id,tmp_manf;
2417
2418 /* Select the device */
2419 chip->select_chip(mtd,0);
2420
2421 /*
2422 * Reset the chip,required by some chips (e.g. Micron MT29FxGxxxxx)
2423 * after power-up
2424 */
2425 chip->cmdfunc(mtd,NAND_CMD_RESET,-1,-1);
2426
2427 /* Send the command for reading device ID */
2428 chip->cmdfunc(mtd,NAND_CMD_READID,0x00,-1);
2429
2430 /* Read manufacturer and device IDs */
2431 *maf_id = chip->read_byte(mtd);
2432 dev_id = chip->read_byte(mtd);
2433
2434 /* Try again to make sure,as some systems the bus-hold or other
2435 * interface concerns can cause random data which looks like a
2436 * possibly credible NAND flash to appear. If the two results do
2437 * not match,ignore the device completely.
2438 */
2439
2440 chip->cmdfunc(mtd,NAND_CMD_READID,-1);
2441
2442 /* Read manufacturer and device IDs */
2443
2444 tmp_manf = chip->read_byte(mtd);
2445 tmp_id = chip->read_byte(mtd);
2446
2447 if (tmp_manf != *maf_id || tmp_id != dev_id) {
2448 printk(KERN_INFO "%s: second ID read did not match "
2449 "%02x,%02x against %02x,%02xn",__func__,2450 *maf_id,tmp_manf,tmp_id);
2451 return ERR_PTR(-ENODEV);
2452 }
2453
2454 /* Lookup the flash id */
2455 for (i = 0; nand_flash_ids[i].name != NULL; i++) {
2456 if (dev_id == nand_flash_ids[i].id) {
2457 type = &nand_flash_ids[i];
2458 break;
2459 }
2460 }
2461
2462 if (!type)
2463 return ERR_PTR(-ENODEV);
2464
2465 if (!mtd->name)
2466 mtd->name = type->name;
2467
2468 chip->chipsize = (uint64_t)type->chipsize << 20;
2469
2470 /* Newer devices have all the information in additional id bytes */
2471 if (!type->pagesize) {
2472 int extid;
2473 /* The 3rd id byte holds MLC / multichip data */
2474 chip->cellinfo = chip->read_byte(mtd);
2475 /* The 4th id byte is the important one */
2476 extid = chip->read_byte(mtd);
2477 /* Calc pagesize */
2478 mtd->writesize = 1024 << (extid & 0x3);
2479 extid >>= 2;
2480 /* Calc oobsize */
2481 mtd->oobsize = (8 << (extid & 0x01)) * (mtd->writesize >> 9);
2482 extid >>= 2;
2483 /* Calc blocksize. Blocksize is multiples of 64KiB */
2484 mtd->erasesize = (64 * 1024) << (extid & 0x03);
2485 extid >>= 2;
2486 /* Get buswidth information */
2487 busw = (extid & 0x01) ? NAND_BUSWIDTH_16 : 0;
2488
2489 } else {
2490 /*
2491 * Old devices have chip data hardcoded in the device id table
2492 */
2493 mtd->erasesize = type->erasesize;
2494 mtd->writesize = type->pagesize;
2495 mtd->oobsize = mtd->writesize / 32;
2496 busw = type->options & NAND_BUSWIDTH_16;
2497 }
2498
2499 /* Try to identify manufacturer */
2500 for (maf_idx = 0; nand_manuf_ids[maf_idx].id != 0x0; maf_idx++) {
2501 if (nand_manuf_ids[maf_idx].id == *maf_id)
2502 break;
2503 }
2504
2505 /*
2506 * Check,if buswidth is correct. Hardware drivers should set
2507 * chip correct !
2508 */
2509 if (busw != (chip->options & NAND_BUSWIDTH_16)) {
2510 printk(KERN_INFO "NAND device: Manufacturer ID:"
2511 " 0x%02x,Chip ID: 0x%02x (%s %s)n",*maf_id,2512 dev_id,nand_manuf_ids[maf_idx].name,mtd->name);
2513 printk(KERN_WARNING "NAND bus width %d instead %d bitn",2514 (chip->options & NAND_BUSWIDTH_16) ? 16 : 8,2515 busw ? 16 : 8);
2516 return ERR_PTR(-EINVAL);
2517 }
2518
2519 /* Calculate the address shift from the page size */
2520 chip->page_shift = ffs(mtd->writesize) - 1;
2521 /* Convert chipsize to number of pages per chip -1. */
2522 chip->pagemask = (chip->chipsize >> chip->page_shift) - 1;
2523
2524 chip->bbt_erase_shift = chip->phys_erase_shift =
2525 ffs(mtd->erasesize) - 1;
2526 if (chip->chipsize & 0xffffffff)
2527 chip->chip_shift = ffs((unsigned)chip->chipsize) - 1;
2528 else
2529 chip->chip_shift = ffs((unsigned)(chip->chipsize >> 32)) + 32 - 1;
2530
2531 /* Set the bad block position */
2532 chip->badblockpos = mtd->writesize > 512 ?
2533 NAND_LARGE_BADBLOCK_POS : NAND_SMALL_BADBLOCK_POS;
2534
2535 /* Get chip options,preserve non chip based options */
2536 chip->options &= ~NAND_CHIPOPTIONS_MSK;
2537 chip->options |= type->options & NAND_CHIPOPTIONS_MSK;
2538
2539 /*
2540 * Set chip as a default. Board drivers can override it,if necessary
2541 */
2542 chip->options |= NAND_NO_AUTOINCR;
2543
2544 /* Check if chip is a not a samsung device. Do not clear the
2545 * options for chips which are not having an extended id.
2546 */
2547 if (*maf_id != NAND_MFR_SAMSUNG && !type->pagesize)
2548 chip->options &= ~NAND_SAMSUNG_LP_OPTIONS;
2549
2550 /* Check for AND chips with 4 page planes */
2551 if (chip->options & NAND_4PAGE_ARRAY)
2552 chip->erase_cmd = multi_erase_cmd;
2553 else
2554 chip->erase_cmd = single_erase_cmd;
2555
2556 /* Do not replace user supplied command function ! */
2557 if (mtd->writesize > 512 && chip->cmdfunc == nand_command)
2558 chip->cmdfunc = nand_command_lp;
2559
2560 printk(KERN_INFO "NAND device: Manufacturer ID:"
2561 " 0x%02x,2562 nand_manuf_ids[maf_idx].name,type->name);
2563
2564 return type;
2565}
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选中芯片,才能对其操作。 |
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发送ReadID的命令:0x90,去取得芯片的ID信息 |
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根据datasheet中的定义,第一个字节,简称byte1,是生产厂商的信息,不同的厂商,对应不同的数字。而byte2是芯片类型,不同的nand flash芯片,对应不同的设备ID,也就是一个字节的数字。 关于读取出来的ID的具体含义,可以参考三星K9K8G08U0A的datasheet中解释:
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再次发送ReadID命令,其目的,上面注释代码中说了,有些特殊的系统中,第一次读取的信息,看起来是很正常,但是实际是错的,所以这里读两次,正常的设备,肯定都会一样的,如果两次不一样,那么说明设备有问题,也就直接函数返回了。 |
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下面根据读取出来的flash ID,也就是具体flash芯片,或叫做设备ID,不同的数值,对应不同的容量和物理参数的flash。 其中,nand_flash_ids是个预先定义好的数组,其定义在:driversmtdnandnand_ids.c 中,此处简要摘录如下:
/*
* Chip ID list
*
* Name. ID code,pagesize,chipsize in MegaByte,eraseblock size,options
*
* Pagesize; 0,256,512
* 0 get this information from the extended chip ID
+ 256 256 Byte page size
* 512 512 Byte page size
*/
struct nand_flash_dev nand_flash_ids[] = {
......
/* 4 Gigabit */
{"NAND 512MiB 1,8V 8-bit",0xAC,512,LP_OPTIONS},{"NAND 512MiB 3,3V 8-bit",0xDC,{"NAND 512MiB 1,8V 16-bit",0xBC,LP_OPTIONS16},3V 16-bit",0xCC,/* 8 Gigabit */
{"NAND 1GiB 1,0xA3,1024,{"NAND 1GiB 3,0xD3,{"NAND 1GiB 1,0xB3,0xC3,......
}
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而结构体nand_flash_dev的定义如下:includelinuxmtdnand.h /**
* struct nand_flash_dev - NAND Flash Device ID Structure
* @name: Identify the device type
* @id: device ID code
* @pagesize: Pagesize in bytes. Either 256 or 512 or 0
* If the pagesize is 0,then the real pagesize
* and the eraseize are determined from the
* extended id bytes in the chip
* @erasesize: Size of an erase block in the flash device.
* @chipsize: Total chipsize in Mega Bytes
* @options: Bitfield to store chip relevant options
*/
struct nand_flash_dev {
char *name;
int id;
unsigned long pagesize;
unsigned long chipsize;
unsigned long erasesize;
unsigned long options;
};
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在结构体数组nand_flash_ids[]中,预先定义了,目前所支持的很多类型Nand Flash的具体物理参数,主要是上面结构体中的页大小pagesize,芯片大小chipsize,块大小erasesize,而id变量表示此类型的芯片,用哪个数字来表示。 |
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此处通过刚读取到的设备ID,去和预先定义好的那个结构体数组nand_flash_ids[]中的每一个ID去比较,如果相等,那么说明支持此款nand falsh,而其他的信息,就可以直接从后面几项中直接获得了。
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当pagesize为0的时候 |
如果pagesize是0,那么说明关于pagesize和其他一些信息,要通过读取额外的ID来获得,这也就是待会下面要详细解释的。 |
而对于旧的一些nand flash,在表项中其pagesize不是0,就可以直接可以从上面的预定义的表里面获得了。 比如,对于常见的三星的型号为K9K8G08U0A的nand flash,其设备号是0xD3,找到匹配的表项就是: {"NAND 1GiB 3, 因此也就知道,其容量是1024MB,设备相关物理特性是1GiB 3,3V 8-bit了。 而关于pagesize和块大小erasesize此处都是0,就只能另外从后面读取的ID中获得了。 |
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此处由于上面表中的chipsize是MB=210Bytes为单位的,所以要左移20位,换算成byte单位 |
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解释下面代码第三个字节之前,要先把图标帖出来,才更容易看得懂具体的解释:
由表中定义可以看出:
- Internal Chip Number
意思是,内部芯片有几颗。 有些型号的Nand Flash,为了实现更高的容量,在芯片内部封装了多个芯片。 比如三星的K9WAG08U1A容量是2GB,内部是装了2个单片是1GB的K9K8G08U0A,对应地,里面要包含2个片选CE1和CE2(均是低电平有效),而4GB的K9NBG08U5A包含了4片的K9K8G08U0A。
- Cell Type:SLC / MLC
bit2&bit3表示的是芯片的类型,是SLC还是某种MLC:
- Bit2,bit3=0x00 : SLC,简单说就是内部单个存储单元,存储一位的数据,所能表示的数值只有0,1,也就需要两种不同的电压来表示,所以叫做2 Level的Cell。
- Bit2,bit3=0x01/0x10/0x11 : 4 /8/16 Level Cell,都叫做MLC,其含义是内部单个存储单元设计成可以表示多个,即4/8/16个不同的电压,对应地,可以表示2,3,4位的数据。
这类的MLC的nand flash,由于单个存储单元,要存储更多的数据,所以内部结构更复杂,读取和写入数据的逻辑更复杂,相对数据出错的几率也比SLC要大。 所以,一般MLC的使用,都需要检错和纠错能力更强的硬件或软件算法,以保证数据的正确性。 软件实现此类的多位数据的检错和纠错的效率相对较低,一般是硬件本身就已经提供此功能。 对应的其为硬件ECC,也就是Linux内核MTD中的HW_ECC。 其他关于SLC/MLC的更详细解释,感兴趣的可以去看另一个帖子:【详解】如何编写Linux下Nand Flash驱动
- Number of Simultaneously Programmed Pages
可以对几个页同时编程/写。 此功能简单的说就是,一次性地写多个页的数据到对应的不同的页。 对应支持此操作的,硬件上必须要有多个plane,而每个plane,都有一个自己的页寄存器。 比如K9K8G08U0A有4个plane,分别叫做,plane0,plane1,plane2,plane3。 它们共分成2组,plane0和plane1,plane2和plane3。如图:
在多页编程时候,只能对某一组中的两个plane操作,不允许类似于plane0和plane2或plane3一起去做多页编程。 以plane0和plane1为例,在实现具体的编程动作之前,将你要写入的2个页的数据,分别写入plane0和plane1中的页寄存器,然后才能发命令,去实现具体的编程操作。 正是因为多页编程需要底层的多plane支持,底层实现的时候,是同时对多个plane编程,所以,也被叫做Multi Plane Program
- Interleave Program Between Multiple chips
交错,从字面意思就可以看出,此操作涉及对象就不止一个。 交错编程,就是对多个chip,交错地进行编程,先对一个编程,充分利用第一个编程过程中需要等待的时间,转去操作另一个,以此实现总体效率的提高。 如果支持Interleave Program的话,那么前面的chip number必然大于1。
- Cache Program
- Cache读
在开始了一次cache读之后,在你把数据读出去的这段时间,nand flash会自动地把下一页的数据读取出来放到页寄存器。
- Cache写
在你写入数据的时候,对应的内存中的数据,不是直接写到页寄存器中,而是到了cache buffer中 然后再发cache 写的命令,此时,数据才从cache buffer中,转递到页寄存器中,然后把数据一点点编程到nand flash 此时,你可以去利用页编程的时间,去准备下一次的数据,然后依此地写入下一个页。
Cache读或写,是充分利用了读一页数据出来,或者将一页数据写到flash里面去的时间,去准备新的一页的数据,这样就可以实现连续的读或写,大大提高读写效率。
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读取4th ID 4th ID的含义,如图:
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Page Size,如图?2.4 “Nand Flash 第4个ID的具体含义”所示,页大小,是bit0和bit1组合起来所表示的。 extid & 0x3,就是取得bit0和bit1的值,而左移1024位,是因为上面表中的单位是KB=210=1024。
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此处关于1024 << (extid & 0x3)的含义 |
我之前也是看了很长时间,都没看懂,后来才看懂具体的意思的。 1024 << (extid & 0x3) 其实就是 = 1024 × (1<< (extid & 0x3)) = 前面的1024 = 之前的单位:KB 而后面的写法,即2的extid & 0x3的次方,比如,如果extid & 0x3是3,那么,1<< (extid & 0x3)就是1<<3=8,对应的上面的8KB。 |
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Redundant Area Size(byte/512byte) 前面介绍过了,此处的oob,就是datasheet中的redundant area size就是linux中的oob大小。 上面表中的意思是,512个byte,对应8还是16个字节的redundant area。 之所以是512字节对应多少个,是因为以前的nand flash页大小是512(除了最早的好像是256之外),所以估计是硬件设计就这样设计了。512个字节对应多少个冗余的数据用作oob,而后来的页大小,对应的是512的整数倍,比如2K,4K等 所以,此处可以按照每个512对应几个字节的oob,然后再算页大小是512的多少倍,即: 此处的extid & 0x01算出来的值,对应上面的8或16,而mtd->writesize >> 9,其实就是 mtd->writesize /512,到此,才算清楚,为何此处oob是这么算的。 |
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Block Size 具体算法很清楚,算出是64KB的多少倍,得出总大小。 此处之所以是64KB为基础,是因为已知最小的blocksize,就是64KB的。 |
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Organization X8/X16,表示的是,硬件I/O位宽(Bus Width)是8位的还是16位的。 目前大多数,都是X8的。 |
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旧的nand flash的一些参数,是知道设备ID后,可以直接从表中读取出来的。 |
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根据读取出来的生长厂商的ID,去和表中对应项匹配,找到是哪家的nand flash芯片。 其中,nand_manuf_ids和上面nand_flash_ids类似,也是个预先定义好的数组,其定义和nand_flash_ids同文件driversmtdnandnand_ids.c 中:
/*
* Manufacturer ID list
*/
struct nand_manufacturers nand_manuf_ids[] = {
{NAND_MFR_TOSHIBA,"Toshiba"},{NAND_MFR_SAMSUNG,"Samsung"},{NAND_MFR_FUJITSU,"Fujitsu"},{NAND_MFR_NATIONAL,"National"},{NAND_MFR_RENESAS,"Renesas"},{NAND_MFR_STMICRO,"ST Micro"},{NAND_MFR_HYNIX,"Hynix"},{NAND_MFR_MICRON,"Micron"},{NAND_MFR_AMD,"AMD"},{0x0,"Unknown"}
};
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对应的各个厂家的宏和结构体的定义是在:includelinuxmtdnand.h 中:
/*
* NAND Flash Manufacturer ID Codes
*/
#define NAND_MFR_TOSHIBA 0x98
#define NAND_MFR_SAMSUNG 0xec
#define NAND_MFR_FUJITSU 0x04
#define NAND_MFR_NATIONAL 0x8f
#define NAND_MFR_RENESAS 0x07
#define NAND_MFR_STMICRO 0x20
#define NAND_MFR_HYNIX 0xad
#define NAND_MFR_MICRON 0x2c
#define NAND_MFR_AMD 0x01
/**
* struct nand_manufacturers - NAND Flash Manufacturer ID Structure
* @name: Manufacturer name
* @id: manufacturer ID code of device.
*/
struct nand_manufacturers {
int id;
char * name;
};
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我们最常读到的生产厂家的id:0xEC,就是对应这里的Samsung,表示此款nand flash是三星家的。 |
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检测你的驱动中的关于位宽的定义,是否和硬件所一致。 |
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此处计算的pagesize,blocksize等的shift,是为了后期的对这些值的除操作更加高效而做的。 对于代码中的除操作,如果直接只是/pagesize,则没有直接算出其是2的多少次方,然后用位移操作,更加高效。因此,此处直接计算好是多少个shift,以后的除于pagesize,blocksize,就可以直接用对应的位移操作了。 |
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算出mask,为了后期保证传入的地址不越界,所以会对其mask一下。 |
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这段,貌似是新的kernel里面新加的,而且把chip->chipsize定义换成uint64_t了,支持超过4GB大小的nand flash了 否则,如果你正好是4GB,对于旧的代码chip->chipsize是uint32_t类型的,那么正好就变成0了。 此处之所以去chip->chipsize & 0xffffffff判断是超过4GB,看起来,估计是ffs函数最多支持32位,所以,没法计算超过此大小的ffs。
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ffs简介 |
简单说一下,ffs是计算一个数值的第一个被置位的位置,全称好像是 find first set bit 其简单解释如下: ffs 查找第一个已设置的位 函数原型:int ffs (int x) x为要搜索的字 刚百度了一下,好像还有个对应的函数:ffz,找到第一个0的位置,估计就是find first zero bit了。呵呵。 而且,这些,好像是Linux提供的基本函数库里面的,自己之前都没怎么听说过呢。汗一个先。。。 |
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设置坏块的标记位置。 关于nand flash的small block和large block,据我了解,好像就是对应的small pagesize和large pagesize,而此处的大小,是针对于旧的nand flash,其页大小pagesize是512 所以,Small block就是页大小是512B的nand flash,而larger block就是新的,页大小大于512B的,比如2KB,4KB等的nand flash。 下面的宏定义在includelinuxmtdnand.h 中: /*
* Constants for oob configuration
*/
#define NAND_SMALL_BADBLOCK_POS 5
#define NAND_LARGE_BADBLOCK_POS 0
约定俗成的,small block的nand ,坏块标记在byte5,而large block的nand flash在byte0。 关于坏块标记,实际情况更复杂些:
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Nand Flash坏块标记位置 |
对于2K页的nand flash,标记位置都是页内oob开始处,都是非0xFF表示坏块, 但是,对于是第几页,不同nand flash就有不同的规定了: 有些nand flash,是标记在坏块的第一个页(或者是第二个页,这点是考虑到,万一第一个页是坏的,所以才做此规定的。一般都是在第一个页处做标记) 比如三星的多数SLC,Hynix等 另一些,是在一个块内的最后一页或倒数第二页做此标记,比如samsung MLC,Numonyx等。 所以,真正比较完整的检查坏块的做法,至少要检测块内第一,第二,倒数第一,倒数第二页,是否是0xFF,才能比较全面的判断是否是坏块的。 |
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获得上面nand id表中的默认设置的那些option:LP_OPTIONS(如果是X16则是,LP_OPTIONS16)。 |
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自动增加页数??? 没太搞懂啥意思,估计是cache program/read相关的吧,目前据我了解的,好像页只有cache program/read,能和auto increment pages有点关系。 |
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如果有extentID且不是三星的nand flash,则清除掉上面我们默认设置的那些参数:LP_OPTIONS。 |
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一种特殊的nand flash,AND chip。所以,也要赋值给特殊的擦除函数。 具体关于此类nand flash的介绍,感兴趣的自己参考上面driversmtdnandnand_ids.c中nand_flash_ids数组中的解释。 |
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如果nand flash的页大小是大于512B,也就是2KB,4KB等新的,被称作large block或largepage的nand flash,此处的lp,应该也就是large page的缩写。 此类的nand flash比旧的,在发送地址的时候,多一个地址周期。具体参考datasheet。 |
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终于检测完所有需要的信息了。最后打印出nand flash的相关信息。 |
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活干完了,就可以return回家了,呵呵。 |
(编辑:李大同)
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