加入收藏 | 设为首页 | 会员中心 | 我要投稿 李大同 (https://www.lidatong.com.cn/)- 科技、建站、经验、云计算、5G、大数据,站长网!
当前位置: 首页 > 百科 > 正文

STM32-使用STM32cubeMX的库读写FLASH数据

发布时间:2020-12-15 19:59:43 所属栏目:百科 来源:网络整理
导读:前言 做项目时有时候需要对一些数据进行掉电可存储,一般来说可以把这些数据存储到到EEPROM或FLASH,这次项目中我使用到的芯片是STM32F051C8T6,只有64KB的FLASH,没有EEPROM。这个时候就需要考虑FLASH的读写操作。 STM32CubeMX 什么是STM32CubeMX? STM32Cu

前言

做项目时有时候需要对一些数据进行掉电可存储,一般来说可以把这些数据存储到到EEPROM或FLASH,这次项目中我使用到的芯片是STM32F051C8T6,只有64KB的FLASH,没有EEPROM。这个时候就需要考虑FLASH的读写操作。

STM32CubeMX

什么是STM32CubeMX?
STM32CubeMX是以HAL库为基础,进行上层的硬件和软件框架设计的图形化软件配置工具,使用图形化向导生成C初始化代码,可以根据设计生成硬件管脚定义及软件BSP工程包,支持IAR-ARM、MDK-ARM、Ac6等IDE开发环境。

下载地址点击这里。

这次项目使用的是STM32F051+STM32CubeMX+keil 5开发。

FLASH读写流程

首先简要写一下FLASH的读写流程

  • 对FLASH写入数据

    1. 解锁FLASH
    2. 擦除FLASH
    3. 写入数据到FLASH
    4. 锁住FLASH
  • FLASH读取数据
    直接读取相应的FLASH地址即可

这是我使用STM32CubeMX的HAL FLASH库的流程,其他STM32库可能有所差异,但是肯定有解锁、擦除、写入、上锁这几个步骤的。

下面上代码清单和测试流程

FLASH读写代码示例

uint32_t writeFlashData = 0x55555555;
uint32_t addr = 0x08007000;

extern void FLASH_PageErase(uint32_t PageAddress);

//FLASH写入数据测试
void writeFlashTest(void)
{
    //1、解锁FLASH
  HAL_FLASH_Unlock();

    //2、擦除FLASH
  FLASH_PageErase(addr);
    //HAL_FLASHEx_Erase();

    //3、对FLASH烧写
    HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD,addr,writeFlashData);

    //4、锁住FLASH
  HAL_FLASH_Lock();
}

//FLASH读取数据测试
void printFlashTest(void)
{
  uint32_t temp = *(__IO uint32_t*)(addr);

    printf("addr:0x%x,data:0x%xrn",temp);
}

之后在主函数里添加下面测试流程:

//flash TEST
writeFlashData = 0x55555555;
writeFlashTest();
printFlashTest();
writeFlashData = 0xaaaaaaaa;
writeFlashTest();
printFlashTest();
while(1);

设置好串口,打印

addr:0x8007000,data:0xffffffff
addr:0x8007000,data:0xffffffff

为什么会这样?那是因为STM32CubeMX的FLASH有一点问题,跳转到FLASH_PageErase函数。

void FLASH_PageErase(uint32_t PageAddress)
{
  /* Clean the error context */
  pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;

    //add
     /* Clear pending flags (if any) */  
  __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGERR); 
    //add end

    /* Proceed to erase the page */
    SET_BIT(FLASH->CR,FLASH_CR_PER);
    WRITE_REG(FLASH->AR,PageAddress);
    SET_BIT(FLASH->CR,FLASH_CR_STRT);

    //add
    FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)HAL_FLASH_TIMEOUT_VALUE);
  CLEAR_BIT(FLASH->CR,FLASH_CR_PER);
    //add end
}

该函数中,其中add注释范围内是原文件没有的,原代码只是置位了FLASH_CR_PER,然后写地址,开始擦除,而完成之后并没有清除该位。问题就出现在这儿,只要调用了擦除函数后,该位就一直为高,所以导致数据无法写入。

把add注释里的内容添加进入,再进行一次测试:

addr:0x8007000,data:0x55555555
addr:0x8007000,data:0xaaaaaaaa

成功!

关于0x8007000

0x8007000是STM32的一个内存映射地址,其指向FLASH memory,如图

STM32内存映射-CODE

这个地址也要考虑芯片的FLASH大小,比如我这次用的芯片FLASH大小是64KB,0x0801 0000-0x0800 0000=0x10000,正好等于64KB。

在《STM32F05x参考手册》中,我选的0x8007000是这么一个位置,是FLASH地址的最后一块扇区的起始位置。

Flash 模块结构

如果使用上面的示例代码读写FLASH不成功,也请考虑一下FLASH的大小和地址设置。

(编辑:李大同)

【声明】本站内容均来自网络,其相关言论仅代表作者个人观点,不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利,请及时与联系站长删除相关内容!

    推荐文章
      热点阅读