STM32-使用STM32cubeMX的库读写FLASH数据
前言做项目时有时候需要对一些数据进行掉电可存储,一般来说可以把这些数据存储到到EEPROM或FLASH,这次项目中我使用到的芯片是STM32F051C8T6,只有64KB的FLASH,没有EEPROM。这个时候就需要考虑FLASH的读写操作。 STM32CubeMX什么是STM32CubeMX? 下载地址点击这里。 这次项目使用的是STM32F051+STM32CubeMX+keil 5开发。 FLASH读写流程首先简要写一下FLASH的读写流程
这是我使用STM32CubeMX的HAL FLASH库的流程,其他STM32库可能有所差异,但是肯定有解锁、擦除、写入、上锁这几个步骤的。 下面上代码清单和测试流程 FLASH读写代码示例uint32_t writeFlashData = 0x55555555;
uint32_t addr = 0x08007000;
extern void FLASH_PageErase(uint32_t PageAddress);
//FLASH写入数据测试
void writeFlashTest(void)
{
//1、解锁FLASH
HAL_FLASH_Unlock();
//2、擦除FLASH
FLASH_PageErase(addr);
//HAL_FLASHEx_Erase();
//3、对FLASH烧写
HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD,addr,writeFlashData);
//4、锁住FLASH
HAL_FLASH_Lock();
}
//FLASH读取数据测试
void printFlashTest(void)
{
uint32_t temp = *(__IO uint32_t*)(addr);
printf("addr:0x%x,data:0x%xrn",temp);
}
之后在主函数里添加下面测试流程: //flash TEST
writeFlashData = 0x55555555;
writeFlashTest();
printFlashTest();
writeFlashData = 0xaaaaaaaa;
writeFlashTest();
printFlashTest();
while(1);
设置好串口,打印
为什么会这样?那是因为STM32CubeMX的FLASH有一点问题,跳转到FLASH_PageErase函数。 void FLASH_PageErase(uint32_t PageAddress)
{
/* Clean the error context */
pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;
//add
/* Clear pending flags (if any) */
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGERR);
//add end
/* Proceed to erase the page */
SET_BIT(FLASH->CR,FLASH_CR_PER);
WRITE_REG(FLASH->AR,PageAddress);
SET_BIT(FLASH->CR,FLASH_CR_STRT);
//add
FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)HAL_FLASH_TIMEOUT_VALUE);
CLEAR_BIT(FLASH->CR,FLASH_CR_PER);
//add end
}
该函数中,其中add注释范围内是原文件没有的,原代码只是置位了FLASH_CR_PER,然后写地址,开始擦除,而完成之后并没有清除该位。问题就出现在这儿,只要调用了擦除函数后,该位就一直为高,所以导致数据无法写入。 把add注释里的内容添加进入,再进行一次测试:
成功! 关于0x80070000x8007000是STM32的一个内存映射地址,其指向FLASH memory,如图 这个地址也要考虑芯片的FLASH大小,比如我这次用的芯片FLASH大小是64KB,0x0801 0000-0x0800 0000=0x10000,正好等于64KB。 在《STM32F05x参考手册》中,我选的0x8007000是这么一个位置,是FLASH地址的最后一块扇区的起始位置。 (编辑:李大同) 【声明】本站内容均来自网络,其相关言论仅代表作者个人观点,不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利,请及时与联系站长删除相关内容! |