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【STM32】使用STM32cubeMX的库读写FLASH数据

发布时间:2020-12-15 19:59:42 所属栏目:百科 来源:网络整理
导读:前言 做项目时有时候需要对一些数据进行掉电可存储,一般来说可以把这些数据存储到到EEPROM或FLASH,这次项目中我使用到的芯片是STM32F051C8T6,只有64KB的FLASH,没有EEPROM。这个时候就需要考虑FLASH的读写操作。 STM32CubeMX 什么是STM32CubeMX? STM32Cu

前言

做项目时有时候需要对一些数据进行掉电可存储,一般来说可以把这些数据存储到到EEPROM或FLASH,这次项目中我使用到的芯片是STM32F051C8T6,只有64KB的FLASH,没有EEPROM。这个时候就需要考虑FLASH的读写操作。

STM32CubeMX

什么是STM32CubeMX?

STM32CubeMX是以HAL库为基础,进行上层的硬件和软件框架设计的图形化软件配置工具,使用图形化向导生成C初始化代码,可以根据设计生成硬件管脚定义及软件BSP工程包,支持IAR-ARM、MDK-ARM、Ac6等IDE开发环境。

下载地址点击这里。

这次项目使用的是STM32F051+STM32CubeMX+keil 5开发。

FLASH读写流程

首先简要写一下FLASH的读写流程

  • 对FLASH写入数据

    1. 解锁FLASH
    2. 擦除FLASH
    3. 写入数据到FLASH
    4. 锁住FLASH
  • FLASH读取数据
    直接读取相应的FLASH地址即可

这是我使用STM32CubeMX的HAL FLASH库的流程,其他STM32库可能有所差异,但是肯定有解锁擦除写入上锁这几个步骤的。

FLASH读写代码示例

下面放上代码清单和测试流程

uint32_t writeFlashData = 0x55555555;
uint32_t addr = 0x08007000;

//FLASH写入数据测试
void writeFlashTest(void)
{
    //1、解锁FLASH
  HAL_FLASH_Unlock();

    //2、擦除FLASH
    //初始化FLASH_EraseInitTypeDef
    FLASH_EraseInitTypeDef f;
    f.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
    f.PageAddress = addr;
    f.NbPages = 1;
    //设置PageError
    uint32_t PageError = 0;
    //调用擦除函数
    HAL_FLASHEx_Erase(&f,&PageError);

    //3、对FLASH烧写
    HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD,addr,writeFlashData);

    //4、锁住FLASH
  HAL_FLASH_Lock();
}

//FLASH读取数据测试
void printFlashTest(void)
{
  uint32_t temp = *(__IO uint32_t*)(addr);

    printf("addr:0x%x,data:0x%xrn",temp);
}

之后在主函数里添加下面测试流程:

void main(void)
{
    //flash TEST
    writeFlashData = 0x55555555;
    writeFlashTest();
    printFlashTest();
    writeFlashData = 0xaaaaaaaa;
    writeFlashTest();
    printFlashTest();
    while(1);
}

设置好串口,打印

addr:0x8007000,data:0x55555555
addr:0x8007000,data:0xaaaaaaaa

成功!

其中比较特殊的是擦除步骤,需要定义个FLASH_EraseInitTypeDef的数据,FLASH_EraseInitTypeDef有三个成员:TypeErasePageAddressNbPages

其中,TypeErase有两个选项,页擦除和块擦除:

#define FLASH_TYPEERASE_PAGES ((uint32_t)0x00) /*!<Pages erase only*/
#define FLASH_TYPEERASE_MASSERASE ((uint32_t)0x01) /*!<Flash mass erase activation*/

PageAddress是设置FLASH地址,这里为0x8007000;

NbPages为擦除页数(块数),这里为1;

另外还需要定义一个uint32_t变量——PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址。

关于0x8007000

0x8007000是STM32的一个内存映射地址,其指向FLASH memory,如图:

STM32内存映射-CODE

这个地址也要考虑芯片的FLASH大小,比如我这次用的芯片FLASH大小是64KB,0x0801 0000-0x0800 0000=0x10000,正好等于64KB。

在《STM32F05x参考手册》中,我选的0x8007000是这么一个位置,是FLASH地址的最后一块扇区的起始位置。

Flash 模块结构

如果使用上面的示例代码读写FLASH不成功,也请考虑一下FLASH的大小和地址设置。

(编辑:李大同)

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