【STM32】使用STM32cubeMX的库读写FLASH数据
前言做项目时有时候需要对一些数据进行掉电可存储,一般来说可以把这些数据存储到到EEPROM或FLASH,这次项目中我使用到的芯片是STM32F051C8T6,只有64KB的FLASH,没有EEPROM。这个时候就需要考虑FLASH的读写操作。 STM32CubeMX什么是STM32CubeMX? STM32CubeMX是以HAL库为基础,进行上层的硬件和软件框架设计的图形化软件配置工具,使用图形化向导生成C初始化代码,可以根据设计生成硬件管脚定义及软件BSP工程包,支持IAR-ARM、MDK-ARM、Ac6等IDE开发环境。 下载地址点击这里。 这次项目使用的是STM32F051+STM32CubeMX+keil 5开发。 FLASH读写流程首先简要写一下FLASH的读写流程
这是我使用STM32CubeMX的HAL FLASH库的流程,其他STM32库可能有所差异,但是肯定有解锁、擦除、写入、上锁这几个步骤的。 FLASH读写代码示例下面放上代码清单和测试流程 uint32_t writeFlashData = 0x55555555;
uint32_t addr = 0x08007000;
//FLASH写入数据测试
void writeFlashTest(void)
{
//1、解锁FLASH
HAL_FLASH_Unlock();
//2、擦除FLASH
//初始化FLASH_EraseInitTypeDef
FLASH_EraseInitTypeDef f;
f.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
f.PageAddress = addr;
f.NbPages = 1;
//设置PageError
uint32_t PageError = 0;
//调用擦除函数
HAL_FLASHEx_Erase(&f,&PageError);
//3、对FLASH烧写
HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD,addr,writeFlashData);
//4、锁住FLASH
HAL_FLASH_Lock();
}
//FLASH读取数据测试
void printFlashTest(void)
{
uint32_t temp = *(__IO uint32_t*)(addr);
printf("addr:0x%x,data:0x%xrn",temp);
}
之后在主函数里添加下面测试流程: void main(void)
{
//flash TEST
writeFlashData = 0x55555555;
writeFlashTest();
printFlashTest();
writeFlashData = 0xaaaaaaaa;
writeFlashTest();
printFlashTest();
while(1);
}
设置好串口,打印 addr:0x8007000,data:0x55555555
addr:0x8007000,data:0xaaaaaaaa
成功! 其中比较特殊的是擦除步骤,需要定义个 其中,TypeErase有两个选项,页擦除和块擦除: #define FLASH_TYPEERASE_PAGES ((uint32_t)0x00) /*!<Pages erase only*/
#define FLASH_TYPEERASE_MASSERASE ((uint32_t)0x01) /*!<Flash mass erase activation*/
PageAddress是设置FLASH地址,这里为0x8007000; NbPages为擦除页数(块数),这里为1; 另外还需要定义一个uint32_t变量—— 关于0x80070000x8007000是STM32的一个内存映射地址,其指向FLASH memory,如图: 这个地址也要考虑芯片的FLASH大小,比如我这次用的芯片FLASH大小是64KB,0x0801 0000-0x0800 0000=0x10000,正好等于64KB。 在《STM32F05x参考手册》中,我选的0x8007000是这么一个位置,是FLASH地址的最后一块扇区的起始位置。 如果使用上面的示例代码读写FLASH不成功,也请考虑一下FLASH的大小和地址设置。 (编辑:李大同) 【声明】本站内容均来自网络,其相关言论仅代表作者个人观点,不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利,请及时与联系站长删除相关内容! |