MSP430F5438A 内存Flash 读写操作
http://blog.csdn.net/u013025203/article/details/54138190 1、msp430的存储结构采用冯.依曼结构,即RAM和Flash在同一个寻址空间内统一编址,没有代码空间和数据空间之分。 2、Flash是以段为为基本结构进行存储的。总体上分三部分: ???????????Flash主存储区:? 用于存储程序代码,被分成4个扇区,每个扇区分128seg,每个seg段 大小为?64 * 1024 / 128 = 512B。? Flash控制器可以以位、字节、或者 ?????????????????????????????????????????字的格式写入Flash控制器。但是控制器最小的擦除单位是段?。 ?????????? BSL存储区:?? 是存储器的引导加载存储器,可以用于存储引导加载程序,分4段,每段512B,每段可以单独擦除、 ?????????? 信息存储区:? 主要用于存储需要掉电后永久保存的数据,分4段,每段128B。 每段可以单独擦写。 3、Flash内存模型
4、内存组织
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