【图文解说】基于飞思卡尔MC9S12XS的Flash擦除和写入操作
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? ? ? ? ?关于Flash的擦除和写入，真的是让我最费力的一部分，网上的相关资料很少，好不容易找到了一点相关代码，却发现程序不能正常的运行，而且更令人无解的是程序本身怎么检查都检查不出错误。好啦，一点一点的说说我的辛酸史。 ???????? 至于擦除和写入的原理是什么，这个不是我们关心的，我也不去赘述，我主要说明一下相关的具体操作。 ???????? 我们主要是对飞思卡尔Flash中的PFlash即存放程序段的Flash进行操作。如图：
步骤大概分为： 1、设置Flash分频寄存器：???????? Flash的操作对频率有一定的要求，过低擦除不成功，过高会损毁Flash，如图为：
MC9S12XS128的FCLKDIV寄存器，所有位都是可读的但是只有7位可写入。至于应该如何设置分频数，有一张表格可以参考：
如表格说明，分频数是根据外部时钟来定的，MC9S12XS128的外部时钟是16MHz，所以我选择了0x10作为分频数。 给出一一些具体的代码：
说明很简答，配合着程序注释一看就懂。
2、FSTAT状态寄存器在上面的代码中出现了一行“while(FSTAT_CCIF==0);”，这就涉及到一个很重要的寄存器，就是Flash操作的状态寄存器，就像是Flash操作步骤中的“红绿灯”一样，告诉程序什么时候可以执行什么操作，什么时候必须要等待一下。如图：
其中我们比较关心的是CCIF位、ACCERR位和FPVIOL位，这三位也都是可读可写的。 CCIF：指令完成标志位，当CCIF位为1时，表示上一个Flash操作完成了。注意图中的高亮部分，如果想要使当前操作的指令完成，需要手动将CCIF清零（标志位置位就是令标志位为0，但具体操作是令标志位等于1），才能触发指令，令指令完成，也就是前面流程图中说明的，才能launch指令。 ACCERR和FPVIOL： 这两位主要标志是否有错误操作发生，当为1时，说明检测到错误。那检测到作物怎么办呢？解决方法也比较奇葩，将两个标志位清零（清零操作如上）就行，，，，，至于什么原理，我也不太明白。
数据手册如图，强烈建议还是自己读一下原文，很有好处。 ???????? 再给出一些具体的代码： CCIF的操作代码： FSTAT_CCIF=1;???????????//启动执行命令，即launch指令?? ACCERR和FPVIOL的操作代码： if(FSTAT_ACCERR)???????????//判断并清除标志位；???? 注意点：说实话，当时我自己写程序的时候，就对标志位清零操作感到非常的疑惑，说好的清零操作呢，为什么是令标志位为等于1？后来才想明白，对于标志位，写0等效于没有操作，写1代表清零。原因主要有两点： 1)??????标志位为1一般表示有什么事情发生啦，对于标志位什么时候为1，应该是单片机根据具体的情况作出自己的判断，是根据实际情况来置1的，而不应该是人为的置1。 2) ??如果某次操作我们只想对状态寄存器中的某一位或某几位进行操作，那么对其余位就必须没有任何的影响，如果规定写0时等效于无操作。 3、执行具体的指令 ???????? 将分频和状态寄存器弄好后，就可以开开心心的执行具体的指令啦。指令具体的指令主要涉及到FCCOBIX寄存器和FCCOB寄存器：
FCCOBIX寄存器和FCCOB寄存器必须要配合使用。FCCOBIX进行选择，然后往FCCOB中写入具体的指令、地址和数据。Flash操作命令表如图：
这里我们只关心P-Flash的擦除和写入操作。 P-Flash的擦除操作：如图，；令CCOBIX为000，往FCCOB中写入0x0A和高地址位，对照指令表，0X0A表示擦除操作，高地址位就是Global address模式下地址的高八位。然后令CCOBIX为001，往FCCOB写入Global address模式下地址的第八位，就可以擦除你想要的擦除的地址片区。
**?名??????称：void?PFlash_Erase(word?ADDR16)??
P-Flash的写入操作：写入操作和擦除操作是差不多的：
模式是不是和擦除操作很像。CCOBIX为000和001时的含义和擦除操作是完全一样的。主要讲一下CCOBIX为010~101时的含义。因为MC9S12XS128规定Flash写入时，必须一次性写入8个字节（应该是4个字节吧，原文章这里写错吧），，，是的就是这么蛋疼。不多说啦，直接来一些具体的代码，就很好理解啦。 **?名??????称：void?PFlash_Write(uint16?ADDR16)?? 4、最后一步： 好啦，看到这里是不是想要自己写一个Flash操作代码尝试一下，然后你单步调制的时候会发现太好啦，终于擦除和写入啦，然后开始全速运行，咦，发现程序跑飞啦，不放弃，接着尝试，然后怎么检查都检查不出错误来，单步运行就是可以，全速运行就是不可以，反复多次，你会感到抓狂，会感到。 ???????? 好啦好啦，不瞎扯啦，其实这个问题也困扰了我很久，因为我没有系统的学习过单片机，终于，在TI的论坛上，没错，你没有看错，一个飞思卡尔的问题最终在TI论坛上找到了解决方法（吐槽一下，飞思卡尔真是奇葩，资料超少，软件也超贵，相关的论坛也超冷淡。相比来说，TI做的就很好，资料很多，软件免费而且好用，论坛也很火）。 ???????? 其实原因是，Flash不能对本身就行操作，也就是说在Flash中的代码不能对Flash进行操作，必须转移到RAM中才可以。怎么解决这个问题呢，我自己用的是#pragma关键字，再配合上codewarrior的.prm文件，就可以啦，全速运行下没有问题。 #pragma? CODE_SEGFLASH_RAM????//在.prm文件中将FLASH_RAM定义在RAM区中 //?对flash进行操作的代码 #pragma CODE_SEG DEFAULF 关于#pragma和.prm怎么用，又是另一个主题啦，在这里就不赘述。 ???????? 除此之外还有一个方法，就是利用RELOCATE_TO，至于RELOCATE_TO怎么用，也是另外一个话题，在这里给出一些资料，要用到的同学可以自己去看看。 ???????? 关于RELOCATE_TO的关键定义： ???????? Inthis example,references to functions in CODE_RELOC use addresses from 0x1000to 0x1FFF area,but the code is programmed from 0x8000 to 0x8FFF. 来自http://blog.sina.com.cn/s/blog_83b3bb460100tesw.html ? ???????? 至此，flash的操作就讲完啦，其他操作也都是换汤不换药。//-------------------------擦除操作可以从Flash中启动或是从RAM中启动。当操作是从Flash中启动的时候，Flash控制器控制了操作时序，CPU运行被暂停直到擦除结束。擦除周期结束后，CPU继续执行，从空写入之后的指令开始运行。当从Flash中启动擦除操作时，可以擦除即将运行的程序所在的段，如果擦除了即将运行的程序所在的Flash段时，擦除结束后，CPU的运行不可预料。 有些芯片是不支持从?Flash?中发起对?Flash?的擦写的，会引起总线冲突。当然，即便是支持从?Flash?发起擦除的芯片，也不能让它擦除掉擦除代码所在的空间，这样会跑飞。这要由编程者来控制。 单片机如何控制是从flash中启动还是RAM中启动呢？ 从?Flash?启动就是常规的函数调用。RAM?启动的话，要将函数代码复制到?RAM?中，并将其起始地址声明为一个函数指针，调用此指针即可。 实际上，无论哪一种情况，函数调用都是将当前代码地址压栈，将函数起始地址写入?CPU?取指地址寄存器。只是写入的地址不同而已。函数返回时，会从堆栈中重新弹出调用者的地址。当然，这些会是编译器来做的，你只需编写代码即可。 FLASH读操作是整块读的，擦除程序如果在FLASH里运行的话，从flash去指令，cpu一下读很多条指令，这样cpu指令寄存器能放下吗？ 单片机内部一般是?NOR?FLASH，不需要整块读。
“RAM?启动的话，要将函数代码复制到?RAM?中”这是怎么实现的啊？
基本上有两类方法：
1?隐式方式? 利用编译器（需要一些编译信息指令文件的配合）将相关的代码段链接到?RAM?中，同时将代码内容存放在?Flash?中；另外，在代码运行前，用程序指令将代码内容复制到相应的?RAM?空间（例如利用?Startup.c?启动代码来复制它）。 2?显式方式 声明一个处于?RAM?地址函数指针，并将?Flash?中的一段代码复制过去。操作时，调用该函数指针。 （编辑：李大同） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
