NOR_FLASH & NAND_FLASH

NOR型和NAND型的比较

NOR型和NAND型闪存器件的主要技术区别是他们存储单元的电路不同。NOR型电路由并联的存储晶体管组成，NOR型闪存 提供了一个直接的地址和数据接口，可以对存储单元随机存取（这对代码存储器很重要），读的速度快而且可靠。一个系统可以很容易从NOR 闪存启动。在某些应用里，一个小的映射存储器可以增加存取速度。在很多应用中，处理器可直接从NOR 闪存上启动。所以NOR 闪存对代码存储来讲非常适合。

而NAND型电路由串联的存储晶体管组成，可以大大减小Die的面积，因为NAND晶体管的漏极和源极是互相串联的。 NAND 闪存的特点是低成本，高容量，但只能顺序地对数据进行存储，通常以512字节为一存储块单位（就像硬盘一样）。NAND 闪存需要一个RAM首先去存储和操作这些数据块。因为晶体管是串联的，NAND电路不能侦测数据链上的“0”“1”位的正确性。为克服这个不足，NAND 闪存厂商推荐了一些纠错方法。因此需要一个存储控制芯片来存取NAND 闪存的接口和处理侦错和纠错功能。由于这些技术因素，从NAND启动是很困难的，它也不适于代码存储。

另一方面，NAND提供了容量和成本优势。比如现在出货的NOR型闪存芯片容量只有256K-256Mbit，而已出货的 NAND闪存却已达到128M-2G bit的容量。此外，从价格方面来看，NAND闪存的每位售价比NOR闪存还要低2-4倍，一个128Mbit的NOR 闪存芯片要10美元，而同样容量的NAND 闪存芯片只要4美元。在数据存储领域，特别是256Mbit以上的应用场合，NAND 闪存有相当的优势。不过，由于额外的电路开销和系统成本增加，在256-128Mbit以下的场合，这些低成本优势并没有在系统总成本上体现出来。

为了减少成本，NOR和NAND 闪存厂商已引入了多级单元结构（MLC）。这种结构的器件在浮动门电路上存储四种电荷电平而不是两种，以此来表示每存储单元的两位。Intel公司在90 年代后期曾经付运了首个MLC闪存。但出于对写入速度性能的考虑，NAND闪存厂商花费了很长时间来实现MLC NAND闪存的商用化。不过看起来2004年MLC NAND闪存将会进入主流。