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深度分析NandFlash—控制器参数TACLS、TWRPH0和TWRPH1的确定(以

发布时间:2020-12-15 18:44:35 所属栏目:百科 来源:网络整理
导读:?????? 这三个参数对于NandFlash的读写操作来说是比较重要的,没搞清楚这三个参数,后面的事就不用提了,那这三个参数到底是干什么的呢,我们怎么样去配置他们呢,今天我花了点时间研究了一下这三个参数。在datasheet中对他们的时序有下面两种图示,一种是写
?????? 这三个参数对于NandFlash的读写操作来说是比较重要的,没搞清楚这三个参数,后面的事就不用提了,那这三个参数到底是干什么的呢,我们怎么样去配置他们呢,今天我花了点时间研究了一下这三个参数。在datasheet中对他们的时序有下面两种图示,一种是写命令或者地址的情况,一种是读写数据的情况:

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由上图可知,这三个参数控制的是Nand Flash 信号线CLE/ALE与写控制信号nWE的时序关系。

TACLS:表示CLT/ALE的建立时间(setup time)。

TWRPH0:表示nWE/nRE持续的时间。

TWRPH1:表示写进去的数据起作用的时间(hold time)。

结合上面的图,就可以看出TACLS就相当于tCLS和tALS参数,TWRPH0就相当于tWP,而TWRPH1就相当于tCLH和TALH

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上图中有两种电压,1.8和3.3,我们的K9F2G08U0A工作时的电压时3.3V,所以应该选用3.3V对应的时序要求,NandFlash的工作电压在哪里看呢,还是datasheet,如下图所示:

从上图我们可以很容易得看出K9F2G08U0A工作时的电压是3.3V。

那这三个参数在哪里确定呢,它们的值又是怎么算呢?在NFCON这个寄存器中,还是datasheet:

由于我们的HCLK是100MHz,周期也就是10ns,可以设

TACLS=2,即2*10ns=20ns > 12ns;TWRPH0=7,及8*10ns=80ns > 12ns;TWRPH1=7,即7*10ns=70ns > 5ns

符合时序要求

(编辑:李大同)

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