AT45DB041B中文资料
AT45DB041B为2.7-3.3V 20MHz AT45DB041为4.5-5.5V 10MHz(停产)
AT45DB041通过片选管脚/CS使能,通过串行输出(SO)和串行输入(SI)进行数据读和写。由串行时钟(SCK)对读写进行控制。 数据读取 读缓存:通过不同的操作码可选择读取两个缓存中的其中一个(操作码54H用作读缓存1,而操作码56H用作读缓存2)。为了实现读缓存的操作,在8位操作码后必须跟有15位任意码,9位地址码和8位任意码。其中9位地址码(BFA8-BFA0)被用作指定要读取的首字节。在轮换时钟SCK的控制下,从SI载入操作码、地址码、任意码。当载入结束后,在SCK轮换时钟的控制下,缓存中的数据就可以从SO读出。当读到缓存的末尾时,设备将继续从缓存的开端重读。在这整个过程中/CS必须保持低电平。读缓存结束后,/CS上一个从低到高的电平跳变将终止读操作。 主存页到缓存的传送:一页数据可以从主存传至缓存1或2。8位操作码(53H用于缓存1,55H用于缓存2)后跟有4位保留位,11位用于指定目的页的地址位(PA10-PA0),和9位任意码,在轮换时钟SCK的控制下从SI载入。在这一过程中/CS管脚必须保持低电位。当载入结束后,在/CS上检测到一个由低到高的电平跳变后,主存页中的数据开始传送至缓存。在数据传送的过程中,状态寄存器将指示状态忙。 数据写入 写缓存:在SCK的控制下,8位的操作码(84H用于缓存1,87H用于缓存2)后面跟着15位任意码和9位地址码(BFA8-BFA0)由SI载入,其中9位地址码指定了缓存中被写的首字节,数据紧随着地址码输入。/CS上一个由低到高的跳变,将结束写缓存操作。 带有内置擦除的缓存至主存页的传送:8位的操作码(83H用于缓存1,86H用于缓存2)后跟有4位保留位,11位指定要写入的主存页的地址码(PA10-PA0),在轮换时钟SCK的控制下从SI载入。当/CS上检测到一个由低到高的跳变时,器件将首先擦除被选中的主存页,然后将储存在缓存中的数据写入该页。擦除和写入的过程都是自动进行的,这一进程不超过20ms。在这个时间里,状态寄存器将指示状态忙。 状态寄存器值读取:读状态寄存器的值可以用来确定设备的忙闲状态。忙闲状态通过寄存器的第7位指示。如果第7位为1,则设备位于空闲状态并可接收下一条指令。如果为0,则设备忙。在载入8位操作码57H后,从SO上可以读出1字节的状态寄存器的值。 写保护(/WP) B041具有的写保护功能仅对主存的前256页有效。当/WP管脚为低电平时,FLASH禁止对主存的前256页进行写操作(只读),但主存的其它页并不受影响,仍然可以进行读写。AT45DB041的选择性写保护功能为用户的使用提供了很大的便利,用户可以将非常重要的数据,如系统参数、密码和身份信息等存入主存的前256页,并将/WP置低,使这些数据处于写保护状态,以保证这些数据不会被误擦除。而与此同时,用户仍能对其它地址进行读写。如果用户将/WP管脚悬空或接地,FLASH将不具备写保护功能,所有的主存页都可进行读写。 复位(/RESET) B041采用低电平复位,即当/RESET管脚出现低电平(<0.6V)时,芯片停止工作,待/RESET管脚的电平被拉高(>2.0V)后,恢复正常工作。为了避免接通电源时,由于电压不稳可能会对芯片正常工作造成影响,所以在使用时,最好在系统开机后延时10ms,再对FLASH进行操作。
AT45DB041进行数据读写主要包括操作码、保留位、地址码、任意码、用户数据的载入和用户数据和状态字的读出两部分。 数据载入子程序 要载入的数据(操作码、保留位、地址码、任意码和用户数据)寄存从R0开始的地址单元里 数据读取子程序: ;将取出的数据(用户数据和状态字)寄存从R1开始的地址单元里 ;数据个数放在R6中 DATAOUT:PUSH ACC CLR,A CLR C CLR CS ;使能 RECEIVE:CLR SCK MOV R7,#08H LOOPR: SETB SCK 在SCK的上升沿AT45DB041将数据放在S0上 MOV C,SO ;将1比特的数据取出 NOP SETB SCK RLC A DJNZ R7,LOOPR ;一字节的数据接收完毕 MOV @R1,A INC R1 DJNZ R6,RECEIVE SETB CSp ;所有数据接收完毕 POP ACC RET (编辑:李大同) 【声明】本站内容均来自网络,其相关言论仅代表作者个人观点,不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利,请及时与联系站长删除相关内容! |