以TMS320F28335芯片为例
在内部RAM中程序能够，达到150MHZ，也即150MIPS.
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用下面这段程序测试：
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?? for(;;)???????????????????????????????????????????????????????????????????????????? |
?? {??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? |
???? GpioDataRegs.GPACLEAR.bit.GPIO0=1;?????????????????? |
??????? DSP28x_usDelay(29992);//29992*5+9个时钟周期?? |总共300001个时钟周期
???? GpioDataRegs.GPASET.bit.GPIO0=1;????????????????????????|
??????? DSP28x_usDelay(30000);//30000*5+9个时钟周期?? |
?? }??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? |
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在RAM中运行上面的程序能够正常，GPIO 的周期为500HZ
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在外部RAM中运行
在外部RAM中最大能达到多少的速度呢？
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试一下，在28335中，XCLK=SYSCLK的时候。设置
??? XintfRegs.XTIMING7.bit.XRDLEAD = 1;
??? XintfRegs.XTIMING7.bit.XRDACTIVE =2;
??? XintfRegs.XTIMING7.bit.XRDTRAIL = 1;???????????? 也就是说XINTF读取一个外部RAM中的数据要1+3+1个时钟周期，为5
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跑上面谈到的程序，GPIO的周期为100HZ，比在RAM中慢了5倍，因为RAM中读取一个数据只要1个时钟周期，外部RAM中读取要5个
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改变一下：
??? XintfRegs.XTIMING7.bit.XRDLEAD = 1;
??? XintfRegs.XTIMING7.bit.XRDACTIVE = 1;
??? XintfRegs.XTIMING7.bit.XRDTRAIL = 0;??????????? 也就是说XINTF读取一个外部RAM中的数据要1+2+0个时钟周期，为3
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跑上面谈到的程序，GPIO的周期为166.7HZ,899984时钟周期，因为RAM中读取一个数据只要1个时钟周期，外部RAM中读取要3个
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理论上在外部RAM中运行最快可以为75MHZ，但一般我们只能达到50MHZ，因为一般我们不能设置.XRDACTIVE 为0
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在FLASH中运行
在FLASH中运行上面的程序，打开flash pipeline。会发现运行的比外部RAM还慢，只有138.888HZ的GPIO周期。
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FLASH中运行程序，需要说到FLASH pipeline。
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FLASH pipeline可以一次读取FLASH中的64bits，也就是正常的4条指令。那么理论上有FLASH pipeline的时候，FLASH的运行最优的速度为37 ns的FLASH介入时间乘以4，也就是108 MHz 。
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但是，如果如我上面的测试代码那样充满了跳转指令（也即FLASH pipeline一次取4个指令指令后发现是跳转指令无法连续运行后面的指令）那么最坏的结果，是FLASH运行在108/4，27MHZ下。
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所以，只能这样说，程序在FLASH中的运行速度为27~108MHZ，一般情况下，程序优化的还不错跳转指令比较少，在FLASH中28335的运行速度为80~90MHZ。
