Nand flash driver
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http://blog.chinaunix.net/uid-14163325-id-3175398.html http://wenku.baidu.com/view/6a91fd116edb6f1aff001fa3.html S3C2410 nandflash 读写过程： http://wenku.baidu.com/view/ae4dfbc00c22590102029d55.html MTD NAND driver programming interface: http://www.linux-mtd.infradead.org/tech/mtdnand/book1.html 转载： http://wenku.baidu.com/view/b36cfcc30c22590102029d69.html 今天学习了NandFlash的驱动，硬件操作非常简单，就是这个linux下的驱动比较复杂，主要还是MTD层的问题，用了一下午时间整理出来一份详细的分析，只是分析函数结构和调用关系，具体代码实现就不看了，里面有N个结构体，搞得我头大。 ? 我用linux2.6.25内核，2440板子，先从启动信息入手。 内核启动信息，NAND部分： S3C24XXNAND Driver,(c) 2004 Simtec Electronics s3c2440-nands3c2440-nand: Tacls=2,20ns Twrph0=3 30ns,Twrph1=2 20ns NANDdevice: Manufacturer ID: 0xec,Chip ID: 0x76 (Samsung NAND 64MiB 3,3V8-bit) Scanningdevice for bad blocks Creating3 MTD partitions on "NAND 64MiB 3,3V 8-bit": 0x00000000-0x00040000: "boot" 0x0004c000-0x0024c000: "kernel" 0x0024c000-0x03ffc000: "yaffs2" ? 第一行，在driver/mtd/nand/s3c2410.c中第910行，s3c2410_nand_init函数： printk("S3C24XXNAND Driver,(c) 2004 Simtec Electronicsn"); ? 行二行，同一文件，第212行，s3c2410_nand_inithw函数： dev_info(info->device,"Tacls=%d,%dns Twrph0=%d %dns,Twrph1=%d %dnsn",tacls,to_ns(tacls,clkrate),twrph0,to_ns(twrph0,twrph1,to_ns(twrph1,clkrate)); ? 第三行，在driver/mtd/nand/nand_base.c中第2346行， printk(KERN_INFO"NAND device: Manufacturer ID:" " 0x%02x,Chip ID:0x%02x (%s %s)n",*maf_id,dev_id,nand_manuf_ids[maf_idx].name,type->name); ? 第四行，在driver/mtd/nand/nand_bbt.c中第380行，creat_bbt函数： Printk(KERNINFO " Scanning device for bad blocks n"); ? 第五行，在driver/mtd/mtdpart.c中第340行，add_mtd_partitions函数： printk(KERN_NOTICE "Creating %d MTD partitions on "%s":n",nbparts,master->name); ? 下面三行，是flash分区表，也在mtdpart.c同一函数中，第430行： printk(KERN_NOTICE "0x%08x-0x%08x : "%s"n",slave->offset,slave->offset + slave->mtd.size,slave->mtd.name); ? MTD体系结构： 在linux中提供了MTD（MemoryTechnology Device，内存技术设备）系统来建立Flash针对linux的统一、抽象的接口 引入MTD后，linux系统中的Flash设备驱动及接口可分为4层: 设备节点 MTD设备层 MTD原始设备层 硬件驱动层 ? 硬件驱动层：Flash硬件驱动层负责底层硬件设备实际的读、写、擦除，Linux MTD设备的NAND型Flash驱动位于driver/mtd/nand子目录下 s3c2410对应的nandFlash驱动为s3c2410.c MTD原始设备层：MTD原始设备层由两部分构成，一部分是MTD原始设备的通用代码，另一部分是各个特定Flash的数据，比如分区 主要构成的文件有： drivers/mtd/mtdcore.c支持mtd字符设备 driver/mtd/mtdpart.c支持mtd块设备 MTD设备层：基于MTD原始设备，Linux系统可以定义出MTD的块设备（主设备号31)和字符设备（设备号90），构成MTD设备层 ? 简单的说就是：使用一个mtd层来作为具体的硬件设备驱动和上层文件系统的桥梁。mtd给出了系统中所有mtd设备（nand，nor，diskonchip）的统一组织方式。 ? mtd层用一个数组struct mtd_info *mtd_table[MAX_MTD_DEVICES]保存系统中所有的设备，mtd设备利用structmtd_info这个结构来描述，该结构中描述了存储设备的基本信息和具体操作所需要的内核函数，mtd系统的那个机制主要就是围绕这个结构来实现的。结构体在include/linux/mtd/mtd.h中定义： structmtd_info { u_char type; //MTD设备类型 u_int32_t flags; //MTD设备属性标志 u_int32_t size; //标示了这个mtd设备的大小 u_int32_t erasesize; //MTD设备的擦除单元大小，对于NandFlash来说就是Block的大小 u_int32_t oobblock; //oob区在页内的位置，对于512字节一页的nand来说是512 u_int32_t oobsize; //oob区的大小，对于16 u_int32_t ecctype; //ecc校验类型 u_int32_t eccsize; //ecc的大小 ? char* name; //设备的名字 int index; //设备在MTD列表中的位置 ? struct nand_oobinfo oobinfo;//oob区的信息，包括是否使用ecc，ecc的大小 ? //以下是关于mtd的一些读写函数，将在nand_base中的nand_scan中重载 int (*erase) int (*read) int (*write) int (*read_ecc) int (*write_ecc) int (*read_oob) int(*read_oob) ? void*priv;//设备私有数据指针，对于NandFlash来说指nand芯片的结构 ? 下面看nand_chip结构，在include/linux/mtd/nand.h中定义： structnand_chip { void __iomem *IO_ADDR_R; //这是nandflash的读写寄存器 void __iomem *IO_ADDR_W; //以下都是nandflash的操作函数，这些函数将根据相应的配置进行重载 u_char (*read_byte)(struct mtd_info *mtd); void (*write_byte)(struct mtd_info *mtd,u_char byte); u16 (*read_word)(struct mtd_info *mtd); void (*write_word)(struct mtd_info *mtd,u16 word); void (*write_buf)(struct mtd_info *mtd,const u_char *buf,int len); void (*read_buf)(struct mtd_info *mtd,u_char *buf,SimSun">int (*verify_buf)(struct mtd_info *mtd,SimSun">void (*select_chip)(struct mtd_info *mtd,int chip); int (*block_bad)(struct mtd_info *mtd,loff_t ofs,int getchip); int (*block_markbad)(struct mtd_info *mtd,loff_t ofs); void (*hwcontrol)(struct mtd_info *mtd,int cmd); int (*dev_ready)(struct mtd_info *mtd); void (*cmdfunc)(struct mtd_info *mtd,unsigned command,int column,int page_addr); int (*waitfunc)(struct mtd_info *mtd,struct nand_chip *this,intstate); int (*calculate_ecc)(struct mtd_info *mtd,const u_char *dat,u_char*ecc_code); int (*correct_data)(struct mtd_info *mtd,u_char *dat,u_char*read_ecc,u_char *calc_ecc); void (*enable_hwecc)(struct mtd_info *mtd,int mode); void (*erase_cmd)(struct mtd_info *mtd,int page); int (*scan_bbt)(struct mtd_info *mtd); int eccmode; //ecc的校验模式（软件，硬件） int chip_delay; //芯片时序延迟参数 int page_shift; //页偏移，对于512B/页的，一般是9 u_char *data_buf; //数据缓存区 ? 跟NAND操作相关的函数： 1、nand_base.c： 定义了NAND驱动中对NAND芯片最基本的操作函数和操作流程，如擦除、读写page、读写oob等。当然这些函数都只是进行一些常规的操作，若你的系统在对NAND操作时有一些特殊的动作，则需要在你自己的驱动代码中进行定义。 2、nand_bbt.c： 定义了NAND驱动中与坏块管理有关的函数和结构体。 3、nand_ids.c： 定义了两个全局类型的结构体：structnand_flash_dev nand_flash_ids[ ]和structnand_manufacturers nand_manuf_ids[]。其中前者定义了一些NAND芯片的类型，后者定义了NAND芯片的几个厂商。NAND芯片的ID至少包含两项内容：厂商ID和厂商为自己的NAND芯片定义的芯片ID。当NAND加载时会找这两个结构体，读出ID，如果找不到，就会加载失败。 4、nand_ecc.c： 定义了NAND驱动中与softewareECC有关的函数和结构体，若你的系统支持hardwareECC，且不需要softwareECC，则该文件也不需理会。 ? 我们需要关心的是/nand/s3c2410,这个文件实现的是s3c2410/2440nandflash控制器最基本的硬件操作，读写擦除操作由上层函数完成。 s3c2410.c分析： 首先看一下要用到的结构体的注册： structs3c2410_nand_mtd { structmtd_info mtd; //mtd_info的结构体 structnand_chip chip; //nand_chip的结构体 structs3c2410_nand_set *set; structs3c2410_nand_info *info; int scan_res; }; ? enums3c_cpu_type { //用来枚举CPU类型 TYPE_S3C2410, TYPE_S3C2412,SimSun">TYPE_S3C2440,SimSun">}; structs3c2410_nand_info { /*mtd info */ structnand_hw_control controller; structs3c2410_nand_mtd *mtds; structs3c2410_platform_nand *platform; ? /*device info */ structdevice *device; structresource *area; structclk *clk; void__iomem *regs; void__iomem *sel_reg; int sel_bit; int mtd_count; unsignedlong save_nfconf; enums3c_cpu_type cpu_type; }; ? 设备的注册： staticint __init s3c2410_nand_init(void) {
? platform_driver_register(&s3c2412_nand_driver); platform_driver_register(&s3c2440_nand_driver); returnplatform_driver_register(&s3c2410_nand_driver); } platform_driver_register向内核注册设备，同时支持这三种CPU。 &s3c2440_nand_driver是一个platform_driver类型的结构体： ? staticstruct platform_driver s3c2440_nand_driver = { .probe =s3c2440_nand_probe,SimSun">.remove = s3c2410_nand_remove, .suspend =s3c24xx_nand_suspend, .resume =s3c24xx_nand_resume,SimSun">.driver ={ .name ="s3c2440-nand",SimSun">.owner =THIS_MODULE,SimSun">},SimSun">}; ? 最主要的函数就是s3c2440_nand_probe，（调用s3c24XX_nand_probe）,完成对nand设备的探测， staticint s3c24xx_nand_probe(struct platform_device *pdev,SimSun">enum s3c_cpu_type cpu_type) /*主要完成一些硬件的初始化，其中调用函数：*/ s3c2410_nand_init_chip(info,nmtd,sets); /*init_chip结束后，调用nand_scan完成对flash的探测及mtd_info读写函数的赋值*/ nmtd->scan_res=nand_scan(&nmtd->mtd,(sets) ? sets->nr_chips : 1); if(nmtd->scan_res == 0) { s3c2410_nand_add_partitionNand_scan是在初始化nand的时候对nand进行的一步非常好重要的操作，在nand_scan中会对我们所写的关于特定芯片的读写函数重载到nand_chip结构中去，并会将mtd_info结构体中的函数用nand的函数来重载，实现了mtd到底层驱动的联系。 并且在nand_scan函数中会通过读取nand芯片的设备号和厂家号自动在芯片列表中寻找相应的型号和参数，并将其注册进去。 ? ? static void s3c2410_nand_init_chip(struct s3c2410_nand_info *info,SimSun">struct s3c2410_nand_mtd *nmtd,SimSun">struct s3c2410_nand_set *set) structnand_chip *chip = &nmtd->chip; void__iomem *regs = info->regs; /*以下都是对chip赋值，对应nand_chip中的函数chip->write_buf = s3c2410_nand_write_buf; //写buf chip->read_buf = s3c2410_nand_read_buf; //读buf chip->select_chip = s3c2410_nand_select_chip;//片选 chip->chip_delay = 50; chip->priv = nmtd; chip->options = 0; chip->controller = &info->controller; //？？ ? switch(info->cpu_type) { caseTYPE_S3C2440: chip->IO_ADDR_W= regs + S3C2440_NFDATA; //数据寄存器 info->sel_reg = regs + S3C2440_NFCONT; //控制寄存器 info->sel_bit =S3C2440_NFCONT_nFCE; chip->cmd_ctrl = s3c2440_nand_hwcontrol; //硬件控制 chip->dev_ready= s3c2440_nand_devready; //设备就绪 chip->read_buf = s3c2440_nand_read_buf; //读chip->write_buf =s3c2440_nand_write_buf;//写break; chip->IO_ADDR_R= chip->IO_ADDR_W; //读写寄存器都是同一个 nmtd->info = info; nmtd->mtd.priv = chip; //私有数据指针指向chip nmtd->mtd.owner = THIS_MODULE; nmtd->set = set; /*后面是和ECC校验有关的，省略*/ } ? 初始化后，实现对nand的基本硬件操作就可以了，包括以下函数： s3c2410_nand_inithw //初始化硬件，在probe中调用 s3c2410_nand_select_chip //片选 s3c2440_nand_hwcontrol //硬件控制，其实就是片选 s3c2440_nand_devready //设备就绪 s3c2440_nand_enable_hwecc //使能硬件ECC校验 s3c2440_nand_calculate_ecc //计算ECC s3c2440_nand_read_buf s3c2440_nand_write_buf ? 注册nand设备到MTD原始设备层：（这个函数由probe调用） #ifdefCONFIG_MTD_PARTITIONS //如果定义了MTD分区 staticint s3c2410_nand_add_partition(struct s3c2410_nand_info *info,SimSun">struct s3c2410_nand_mtd *mtd,SimSun">if(set == NULL) return add_mtd_device(&mtd->mtd); if(set->nr_partitions > 0 && set->partitions != NULL){ return add_mtd_partitions(&mtd->mtd,set->partitions,set->nr_partitions); #else 注册设备用这两个函数： add_mtd_device //如果nand整体不分区，用这个， //该函数在mtdcore.c中实现 add_mtd_partitions //如果nand是分区结构，用这个， mtdpart.c中实现 同样，注销设备也有两个函数： del_mtd_device del_mtd_partitions ? NandFlash还有一个分区表结构体，mtd_partition，这个是在arch/arm/plat-s3c24XX/common-smdk.c中定义的。 ? staticstruct mtd_partition smdk_default_nand_part[] = { [0]= { .name ="boot",SimSun">.size =0x00040000,SimSun">.offset =0,SimSun">[1]= { .name ="kernel",SimSun">.offset= 0x0004C000,SimSun">.size =0x00200000,SimSun">[2]= { .name ="yaffs2",SimSun">.offset= 0x0024C000,SimSun">.size =0x03DB0000,SimSun">}; 记录了当前的nandflash有几个分区，每个分区的名字，大小，偏移量是多少 系统就是依靠这些分区表找到各个文件系统的 这些分区表nand中的文件系统没有必然关系，分区表只是把flash分成不同的部分 ? 如果自己编写一个nandflash驱动，只需要填充这三个结构体： Mtd_info nand_chip mtd_partition 并实现对物理设备的控制，上层的驱动控制已由mtd做好了，不需要关心 ? ? 2410NandFlash控制器 管脚配置 D[7:0]: DATA0-7数据/命令/地址/的输入/输出口（与数据总线共享） CLE : GPA17 命令锁存使能(输出) ALE : GPA18 地址锁存使能（输出） nFCE : GPA22 NAND Flash片选使能（输出） nFRE : GPA20 NAND Flash读使能nFWE : GPA19 NAND Flash写使能R/nB : GPA21 NAND Flash准备好/繁忙（输入） ? 相关寄存器： NFCONF NandFlash控制寄存器 ［15］NandFlash控制器使能/禁止0 = 禁止 1 =使能 ［14：13］保留 ［12］初始化ECC解码器/编码器0 = 不初始化 1 =初始化 ［11］芯片使能nFCE控制0 = 使能 1 =禁止 ［10：8］TACLS持续时间=HCLK*（TACLS+1） ［6：4］TWRPH0 ［2：0］TWRPH1 ? NFCMD命令设置寄存器 ［7：0］命令值 NFADDR地址设置寄存器 ［0］存储器地址 NFDATA数据寄存器 ［0］存放数据 NFSTAT状态寄存器 ［0 = 存储器忙 1 =存储器准备好 NFECC ECC寄存器 ［23：16］ECC校验码2 ［15：1 ［8：0 ? 写操作： 写入操作以页为单位。写入必须在擦除之后，否则写入将出错。 页写入周期中包括以下步骤： 写入串行数据输入指令（80h）。然后写入4个字节的地址，最后串行写入数据（528Byte）。串行写入的数据最多为528byte。 串行数据写入完成后，需要写入“页写入确认”指令10h，这条指令将初始化器件内部写入操作。 10h写入之后，nandflash的内部写控制器将自动执行内部写入和校验中必要的算法和时序， 系统可以通过检测R/B的输出，或读状态寄存器的状态位（I/O6）来判断内部写入是否结束 ? 擦除操作： 擦除操作时以块(16K Byte)为单位进行的 擦除的启动指令为60h,随后的3个时钟周期是块地址。其中只有A14到A25是有效的，而A9到A13是可以忽略的。 块地址之后是擦除确认指令D0h，用来开始内部的擦除操作。 器件检测到擦除确认命令后，在/WE的上升沿启动内部写控制器，开始执行擦除和擦除校验。内部擦除操作完成后，应该检测写状态位（I/O0），从而了解擦除操作是否成功完成。 ? 读操作有两种读模式： 读方式1用于读正常数据； 读方式2用于读附加数据 在初始上电时，器件进入缺省的“读方式1模式”。在这一模式下，页读取操作通过将00h指令写入指令寄存器，接着写入3个地址（一个列地址和2个行地址）来启动。一旦页读指令被器件锁存，下面的页操作就不需要再重复写入指令了。 写入指令和地址后，处理器可以通过对信号线R//B的分析来判断该才作是否完成。 外部控制器可以再以50ns为周期的连续/RE脉冲信号的控制下，从I/O口依次读出数据 备用区域的从512到527地址的数据，可以通过读方式2指令进行指令进行读取（命令为50h）。地址A0～A3设置了备用区域的起始地址，A4～A7被忽略掉 ? 时序要求： 写地址、数据、命令时，nCE、nWE信号必须为低电平，它们在nWE信号的上升沿被锁存。命令锁存使能信号CLE和地址锁存信号ALE用来区分I/O引脚上传输的是命令还是地址。 ? 寻址方式： NANDFlash的寻址方式和NANDFlash的memory组织方式紧密相关。NANDFlash的数据以bit的方式保存在memorycell，一个cell中只能存储一个bit。这些cell以8个或者16个为单位，连成bitline，形成byte(x8)/word(x16)，这就是NAND的数据宽度。
这些Line会再组成Page，典型情况下：通常是528Byte/page或者264Word/page。然后，每32个page形成一个Block，Sizeof(block)=16.5kByte。其中528Byte=512Byte+16Byte，前512Byte为数据区，后16Byte存放数据校验码等，因此习惯上人们称1page有512个字节，每个Block有16Kbytes； 现在在一些大容量的FLASH存贮设备中也采用以下配置：2112Byte /page 或1056Word/page；64page/Block；Sizeof(block)= 132kByte；同上：2112= 2048 +64，人们习惯称一页含2k个字节，一个Block含有64个页，容量为128KB； ? Block是NANDFlash中最大的操作单元，擦除可以按照block或page为单位完成，而编程/读取是按照page为单位完成的。 所以，按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址： -Block?Address块地址 -Page??Address页地址 -Column Address列地址 ???首先，必须清楚一点，对于NANDFlash来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度可以是8位或者16位，但是，对于x16的NAND Device，I/O[15:8]只用于传递数据。 ???清楚了这一点，我们就可以开始分析NANDFlash的寻址方式了。 以528Byte/page总容量64MByte+512kbyte的NAND器件为例： 因为 1page=528byte=512byte(MainArea)+16byte(Spare Area) 1block=32page= 16kbyte 64Mbyte= 4096 Block ? 用户数据保存在mainarea中。 512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1sthalf和2ndhalf,各自的访问由所谓的pointeroperation命令来选择，也就是选择了bit8的高低。因此A8就是halfpagepointer，A[7:0]就是所谓的columnaddress。 ? 32个page需要5bit来表示，占用A[13:9]，即该page在块内的相对地址。 Block的地址是由A14以上的bit来表示，例如64MB的NAND，共4096block，因此，需要12个bit来表示，即A[25:14]，如果是1Gbit的528byte/page的NANDFlash，共8192个block，则blockaddress用A[30:14]表示。 ? NANDFlash的地址表示为： BlockAddress|PageAddress in block |halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是ColumnAddress,Page Address,Block Address。 ? 例如一个地址：0x00aa55aa 000000001010 1010 0101 01011010 1010 ? 由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。 例如，对于64MBx8的NANDflash，地址范围是0~0x3FF_FFFF，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。 以NAND_ADDR为例： 第1步是传递columnaddress，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0]上，而halfpagepointer即bit8是由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage上进行读写，而真正的bit8的值是don'tcare的。 2步就是将NAND_ADDR右移9位，将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上; 3步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O上4步需要将NAND_ADDR[25]放到因此，整个地址传递过程需要4步才能完成，即4-stepaddressing。 如果NANDFlash的容量是32MB以下，那么，blockadress最高位只到bit24，因此寻址只需要3步。 What are the differences between flash devices and block drives?The following table describes the differences between block devices andraw flashes. Note,SSD,MMC,eMMC,RS-MMC,SD,mini-SD,micro-SD,USB flashdrive,CompactFlash,MemoryStick,MemoryStick Micro,and other FTL devicesareblock devices,not raw flash devices. Of course,hard drives arealso block devices.
mtd->size : mtd 设备的大小 mtd->erasesize : mtd 设备擦除的单元，也就是 block size mtd->writesize: mtd 设备flush 写的单元，也就是 nand page Nand flash OOB 以及 坏块分析的好文章： 转载： http://czhjchina.blog.163.com/blog/static/20027904720126203271790/ 0.NAND的操作管理方式 ???? NAND FLASH的管理方式：以三星FLASH为例，一片Nand flash为一个设备(device)，1 (Device) = xxxx (Blocks)，1 (Block) = xxxx (Pages)，1(Page)?=528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes，除OOB第六字节外，通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码)。 ????? 关于OOB区，是每个Page都有的。Page大小是512字节的NAND每页分配16字节的OOB；如果NAND物理上是2K的Page，则每个Page分配64字节的OOB。如下图： ????????????
以HYNIX为例，图中黑体的是实际探测到的NAND，是个2G bit（256M）的NAND。PgSize是2K字节，PgsPBlk表示每个BLOCK包含64页，那么每个BLOCK占用的字节数是 64X2K=128K字节；该NAND包好2048个BLOCK，那么可以算出NAND占用的字节数是2048X128K=256M，与实际相符。需要注 意的是SprSize就是OOB大小，也恰好是2K页所用的64字节。 ?1.为什么会出现坏块 2.坏块的分类 3.坏块管理:(指的是整个块都是坏的) ?? 根据上面的这些叙述，可以了解NAND Flash出厂时在spare area中已经反映出了坏块信息，因此，如果在擦除一个块之前，一定要先check一下第一页的spare area的第6个byte是否是0xff，如果是就证明这是一个好块，可以擦除；如果是非0xff，那么就不能擦除，以免将坏块标记擦掉。当然，这样处理可能会犯一个错误―――“错杀伪坏块”，因为在芯片操作过程中可能由于电压不稳定等偶然因素会造成NAND操作的错误。但是，为了数据的可靠性及软件设计的简单化，还是需要遵照这个标准。 ????? 可以用BBT：bad block table，即坏块表来进行管理。各家对nand的坏块管理方法都有差异。比如专门用nand做存储的，会把bbt放到block0，因为第0块一定是好 的块。但是如果nand本身被用来boot，那么第0块就要存放程序，不能放bbt了。有的把bbt放到最后一块，当然，这一块坚决不能为坏块。bbt的大小跟nand大小有关，nand越大，需要的bbt也就越大。 ????? 需要注意的是：OOB是每个页都有的数据，里面存的有ECC（当然不仅仅）；而BBT是一个FLASH才有一个；针对每个BLOCK的坏块识别则是该块第一页spare area的第六个字节。 ????? ECC：NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page（例如512Bytes）中只有一个或几个bit出 错。一般使用一种比较专用的校验——ECC。ECC能纠正单比特错误和检测双比特错误，而且计算速度很快，但对1比特以上的错误无法纠正，对2比特以上的 错误不保证能检测。 （编辑：李大同） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
