Nand Flash与Nor Flash启动的区别——s3c2440

S3C2440启动时读取的第一条指令是在0x00000000地址上的，分为Nand Flash与Nor Flash两种启动方式。

S3C2440总共有8个内存banks：
? 6个内存bank可以当作ROM或者SRAM来使用；
? 留下的2个bank除了当作ROM?或者SRAM，还可以用SDRAM(各种内存的读写方式不一样)；
??7个bank的起始地址是固定的，还有一个灵活的bank的内存地址，并且bank大小也可以改变。

一.Nand Flash：是I/O设备，数据线、地址线和控制线复用，需要软件控制读取。CPU不能随机访问，访问的时候是按页（512B）读取，不能运行程序，不能直接从Nand Flash启动。

二.Nor Flash：有自己的地址线和控制线，CPU可以随机访问，可以运行程序。

1.在Nor Flash启动的时候

片选0（SROM nGCS0）中存放的是2M的Nor Flash，片选6中存放的是内存，内存的起始地址是片选6的起始地址（0x3000_0000）。?代码直接在Nor Flash上执行，无需复制到内存中。这是由于NOR Flash的接口与RAM完全相同，可随机访问任意地址数据。Nor flash速度快，数据不易失，可作为存储并执行起到代码和应用程序的存储器，Nor flash可像内存一样读操作，但擦初和写操作效率很低，远不及内存，一般先在代码的开始部分使用汇编指令初始化外接的的内存部件（外存SDRAM），最后跳到外存中继续执行。对于小程序一般把它烧到NAND flash中，借助CPU内部RAM（SRAM）直接运行。
Nor flash被映射到0x00000000地址（就是nGCS0，这里就不需要片内SRAM来辅助了，所以片内SRAM的起始地址还是0x40000000）. 然后CPU从0x00000000开始执行（也就是在Nor falsh中执行）。

2.在Nand Flash启动的时候

内部的4K字节的BootSram被映射到片选0（SROM nGCS0）。Nand?Flash控制器自动把nand flash存储器的前4K载到Steppingstone（内部SRAM缓冲器，大小只有4K），并把0x00000000设置为内部SRAM的起始地址，CPU从内部SRAM的0x00000000开始启动，这个过程不需要程序干涉。（cpu会自动从Nand? flash中读取前4KB的数据放置在片内SRAM里（s3c2440是soc），同时把这段片内SRAM映射到nGCS0片选的空间（即0x00000000）。cpu是从0x00000000开始执行，也就是Nand?flash里的前4KB内容。因为Nand?Flash连地址线都没有，不能直接把Nand?映射到0x00000000，只好使用片内SRAM做一个载体。通过这个载体把Nand?flash中大代码复制到RAM(一般是SDRAM)中去执行）。?
程序员要完成的工作是把最核心的代码放在nand flash的前4K中。4K代码要完成S3C2440的核心配置以及将启动代码（U-boot）的剩余部分拷贝到SDRAM中。
这4K的启动代码需要将Nand?Flash中的内容复制到SDRAM中执行。Nand?Flash的前4K空间放启动代码，SDRAM速度较快，用来执行主程序的代码。ARM一般从ROM或Flash启动完成初始化，然后将应用程序拷贝到RAM，然后跳到RAM执行。