spanion flash 操作要点总结

最近接触了一款flash芯片，采用普遍的spi接口操作，

型号是：s25fl064p

最小页大小：64kb，其中在最小地址开始的64kb还分割成为4kb页，最大地址往回64kb也分割成4kb页。

擦除操作命令模式：64kb擦除（SE），4kb擦除（P4E），8kb擦除（P8E）。

最关键部分：读写，擦除操作的顺序。

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

READ命令特点：

（1）拉低CS片选信号脚，如果在读的时候，拉高CS信号脚，那么READ操作终止。

（2）当flash芯片还在执行例如烧写，擦除，写寄存器操作，拒绝执行任何读命令。

WREN命令特点：

（1）写使能，1----接受写寄存器操作，擦除操作，烧写操作。

（2）PP，QPP，SE，BE，WRR，OTPP命令之前必须跟WREN命令。

WRDI命令特点：

（1）写禁止，0----拒绝写寄存器操作，擦除操作，烧写操作。

（2）上电，WRDI，WRR，PP，QPP，P4E，P8E，SE，BE，OTPP这些操作会复位SR寄存器的WEL位，就不能进行写操作了。

RDSR命令特点：

（1）可以不用检查芯片的操作状态，任何时候都可以发送RDSR，最重要的作用是检查其他命令的执行过程是否结束，所以不受芯片的状态限制。

（2）在发送新命令之前，应该发送这条命令检查上一条命令的执行状况，等SR寄存器的WIP标志位置0的时候，再去发送新命令。

（3）写驱动的时候，在写操作，擦除操作这些常用命令的地方，都要加一个死循环去判断当前的状态。如下所示：

do
{
     status = read_status_reg(RDSR);
}
while(（status & 0x1）！= 0)；

找到两篇参考博文：

http://bbs.21ic.com/icview-328763-1-1.html

http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_28454.HTM