Flash全名叫做Flash EEPROM Memory，即平时所说的“闪存”，是掉电非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)。它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电可擦除可编程（EEPROM）的性能，还可以快速读取数据（NVRAM的优势），使数据不会因为断电而丢失。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EEPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码，或者直接当大容量存储设备使用（U盘、MP3等）。
二、Flash的分类
目前Flash主要有两种NOR Flash和NAND Flash。NOR Flash的读写和我们常见的SDRAM的读写是一样，用户可以直接往特定地址写特定数据。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读写是以一次读写一块的形式来进行的。NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节，是并行读写。NAND Flash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，8个I/O引脚用来传送控制、地址和数据信息，是串行读写。
NOR Flash随机读写速度快、功耗低、稳定性高，常用于数据/程序存储。NAND Flash容量大、读写速度快、存储密度高，适合大容量的多媒体应用中。由于物理制程/制造方面的原因，导致NOR 和NAND在一些具体操作方面的特性不同：
用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flash以外，还加上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
目前市面上的Flash主要来自Samsung、Toshiba、MICRON、Intel、Hynix等。
三、NAND Flash的物理存储单元的阵列组织结构
以三星K9K8G08U0A为例来介绍NAND Flash的内部组织结构。
图1是K9K8G08U0A的物理存储单元的阵列组织结构。从图中可知：
1．NAND Flash芯片由很多个块（Block）组成，块的大小一般是128KB、256KB、512KB等，K9K8G08U0A是128KB。
2.每个块里面又包含了很多页（Page）。每页的大小，老的NAND Flash，页大小是256B/512B，这类的NAND Flash被称作small block，地址周期只有4个。现在常见的NAND Flash多数是2KB，被称作big block，对应的读写命令地址一共5个周期(cycle)。更新的NAND Flash是4KB。
块是NAND Flash擦除操作的基本/最小单元。
3.每一页，对应还有一块区域，叫做空闲区域（spare area）/冗余区域（redundant area），而Linux系统中，一般叫做OOB（Out Of Band）。NAND Flash在数据读写时相对容易出现错误，为了保证数据的正确性，必须要有对应的检测和纠错机制，此机制被叫做EDC(Error Detection Code)/ECC（Error Code Correction，或者Error Checking and Correcting）。因此设计了多余的区域，用于放置数据的校验值。
页是NAND Flash写入操作的基本/最小单元。
常见的NAND Flash，内部只有一个chip，每个chip只有一个plane。而有些复杂的容量更大的NANDFlash，内部有多个chip，每个chip有多个plane。这类的NAND Flash，往往也有更加高级的功能，比如下面要介绍的Multi Plane Program和Interleave Page Program等。
比如，K9K8G08U0A芯片（chip）包含有4个plane，K9WAG08U1A芯片包含有2个chip（K9K8G08U0A）。
四、Flash相对于普通存储设备的特殊性
Flash的擦除操作是以block块为单位的，与此相对应的是其他很多存储设备，是以bit位为最小读取/写入的单位，Flash是一次性地擦除整个块：在发送一个擦除命令后，一次性地将一个block，常见的块的大小是128KB/256KB/512KB，全部擦除为1，也就是里面的内容全部都是0xFF了。由于是一下子就擦除了，相对来说，擦除用的时间很短，可以用一闪而过来形容，所以叫做Flash Memory。中文有的翻译为（快速）闪存。
一般存储设备，比如硬盘/内存，读取和写入都是以bit位为单位，读取一个bit的值，将某个值写入对应的地址的位，都是可以按位操作的。但是Flash由于物理特性，使得内部存储的数据，只能从1变成0，这点，可以从其内部实现机制了解到，只是方便统一充电，不方便单独的存储单元去放电，所以才说，只能从1变成0，也就是释放电荷。所以，总结一下Flash的特殊性如下：
