NAND FLASH与MTD
芯片内部存储布局及存储操作特点:
??? 一片 Nand flash为一个设备(device),其数据存储分层为: ??? 1 (Device) = 4096 (Blocks) ??? 1 (Block)?-?= 32?? (Pages/Rows) 页与行是相同的意思,叫法不一样 ??? 1 (Page)?? = 528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes)
ECC: NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出 错。一般使用一种比较专用的校验――ECC。ECC能纠正单比特错误和检测双比特错误,而且计算速度很快,但对1比特以上的错误无法纠正,对2比特以上的 错误不保证能检测。 ECC一般每256字节原始数据生成3字节ECC校验数据,这三字节共24比特分成两部分:6比特的列校验和16比特的行校验,多余的两个比特置1. 当往NAND Flash的page中写入数据的时候,每256字节我们生成一个ECC校验和,称之为原ECC校验和,保存到PAGE的OOB(out-of-band)数据区中。其位置就是eccpos[]。 ? ? 转自:
2012-12-18 12:41
Nand Flash的名词解释 OOB和ECC_国伍中(编辑:李大同) 【声明】本站内容均来自网络,其相关言论仅代表作者个人观点,不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利,请及时与联系站长删除相关内容! |