NAND FLASH中ECC的原理与错误
发布时间：2020-12-15 17:48:12 所属栏目：百科 来源：网络整理
导读：向NAND?Flash写数据时，每256或512字节会生成一个校验码写在每个page的OOB区，当从NAND?Flash读数据时，每读取256或512字节数据，也会生成一个ECC校验码，拿这个校验码与存放在OOB区的校验吗对比看看是否一致，就可以知道读取的数据是否正确. 一般来说，kern
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向NAND?Flash写数据时，每256或512字节会生成一个校验码写在每个page的OOB区，当从NAND?Flash读数据时，每读取256或512字节数据，也会生成一个ECC校验码，拿这个校验码与存放在OOB区的校验吗对比看看是否一致，就可以知道读取的数据是否正确. 一般来说，kernel与cramfs是通过U-BOOT烧写到NAND?Flash中，这个过程是向NAND?Flash写数据，会产生ECC码，使用的是U-BOOT的ECC机制产生的(不管是硬件产生还是软件产生)，然后这些ECC码会存放在NAND?Flash的OOB区域。 当你启动Kernel时，会从NAND?Flash中读数据，这是时候也会产生ECC码。使用的还是U-BOOT的ECC机制产生的，因为这个读NAND操作是还是处在U-Boot运行状态下。然后这个ECC码与写Kernel时产生的ECC码(保存在OOB区域)做比较，看是否有错误。由于写Kernel与读Kernel都用的是U-BOOT的ECC产生机制，所以一般不会出错。 但你读Cramfs时，这个时候已经是内核状态啦。所以读Cramfs时用的Kernel的ECC产生机制，前面写Cramfs用的U-Boot机制，如果两种机制不一致(包括一个是硬件产生，一个是软件产生，或是软件产生算法不一样，或是OOB区域规划不一样),就会产生错误。（编辑：李大同） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |