写这篇文章为了记录学习MTD驱动架构，但是涉及到底层nandflash的驱动。nandflash的硬件编程也很久没回顾，很多东西都忘了，所以先看一下mini2440的nandflash的工作原理和裸机编程。

基础知识：

这部分网上很多，我复制了其他大神的。

http://blog.chinaunix.net/uid-28236237-id-3985873.html

 Nand?Flash结构：  一、Nand?Flash是又一种叫块的结构堆叠而成，块一般写作block,块是Nand?Flash中最小的擦除单位，如果需要擦除Flash，那么最小必须擦除一个Flash?Block。  二、Nand?Flash?中所有存储颗粒，也就是软件上对应的每一个bit，只能从1反转到0，而不能从0写为1，只有擦除操作可以将存储颗粒从0反转到1，这个特性就要求对Flash进行写操作的时候需要先对相应的区域进行擦除操作。  三、一个Flash的块是由若干个Page组成，Page是读写Nand?Flash的最小单位。一般Page有两中规格，一种是512B+16B的小页形式，一种是2048B+64B的大页形式。  四、Nand?Flash中可能存在坏块，坏块产生的原因有可能是出厂的时候就产生了，还有可能是在使用过程中多次擦除操作会产生坏块。  五、那么如何辨别出厂的坏块呢，有一种方法是：一般芯片原厂都会在出厂时都会将每个坏块第一个page的spare?area的第6个byte标记为不等于0xff的?值。  六、坏块的管理，关于Nand?Flash坏块的管理，这里必须指出两个知识点，一个是BBT，即bad?block?table?专门用nand做存储的，会把bbt放到block0，因为第0块一定是好?的块。但是如果nand本身被用来boot，那么第0块就要存放程序，不能放bbt了。?有的把bbt放到最后一块，当然，这一块坚决不能为坏块。?bbt的大小跟nand大小有关，nand越大， 需要的bbt也就越大。  七、另外还有一种校验机制叫做ECC，?NAND?Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page（例如512Bytes）中只有一个或几个bit出?错。一般使用一种比较专用的校验——ECC。ECC能纠正单比特错误和检测双比特错误，而且计算速度很快，但对1比特以上的错误无法纠正，2比特以上的?错误不保证能检测。  八、ECC一般每256字节原始数据生成3字节ECC校验数据，这三字节共24比特分成两部分：6比特的列校验和16比特的行校验，多余的两个比特置1。（512生成两组ECC，共6字节）?当往NAND?Flash的page中写入数据的时候，每256字节我们生成一个ECC校验和，称之为原ECC校验和，保存到PAGE的OOB?（out-?of-band）数据区中。其位置就是eccpo 校验的时候，根据上述ECC生成原理不难推断：将从OOB区中读出的原ECC校验和新ECC校验?和按位异或，若结果为0，则表示不存在错（或是出现了ECC无法检测的错误）；若3个字节异或结果中存在11个比特位为1，表示存在一个比特错误，且可纠?正；若3个字节异或结果中只存在1个比特位为1，表示OOB区出错；其他情况均表示出现了无法 纠正的错误。?

http://wenku.baidu.com/view/4d14c7292af90242a895e51a.html

1. Flash用途和分类：?
? ? 在嵌入式系统开发设计中，存储模块是不可缺少的重要部分，而 Flash是目前市场上主要的非易失闪存技术，他主要分为：Nor Flash和Nand Flash两种。那么他们有什么区别呢？简单的讲：Nor Flash容量小，价格高，写速度慢但随机读速度快，所以较适合存储少量的程序代码，比如u-boot启动代码；而Nand Flash则容量大，价格低，写速度快但 读速度慢，所以他相当于PC上的硬盘用于存储大量的数据。Nor Flash与Nand Flash更详细区别如下表：

2. Flash在硬件设计中的应用：

以Mini2440开发板为例：该开发板上带有一块2M的Nor Flash和一块64M的Nand?Flash。下面先看看他们是怎样被应用于嵌入式Linux的。Nor Flash和Nand Flash电路原理图分别如下：(由mini2440提供)

从 原理图上可以看到，Nor Flash内部提供的是有类似于DRam之类的地址总线，可以直接与CPU相连，CPU可以直接通过地址总线对Nor Flash进行访问；而Nand Flash没有这类的总线，其内部只提供IO接口，因此只能通过IO接口发送命令和地址，对Nand Flash内部数据进行访问。这可以说是二者最大的区别了，也说明了二者读写速度不同的所 在。因此，各有各的优点，Nor Flash访问快，Nand Flash简化了电路。注意：电路原理图中字母上面有一横杠的表示该引脚是低电平有效，没有的是默认的高电平。

我的nandflash型号是K9F2G08U0B，它的主要参数：

Memory Cell Array : (256M + 8M) x 8bit

Page Program :?(2K + 64)ByteBlock?

Erase : (128K + 4K)Byte

?

裸机编程