stm32 读写Flash

????在有些场合掉电保存是很有用的，但一般都是用EEPROM，要新增硬件电路，比较麻烦。stm32有一个Flash控制器，用户可以在线读写Flash，这样一定情况下可以用读写Flash做掉电保存，挺方便的。擦写不多于10万次。

? ? 我用的是stm32F10x3ZET6的Flash（512K）结构如下：

????

存储区的地址：0x0800 0000--0x0807 FFFF

这一段存储区使用存储程序的，用户也可以读写这一块区域。当然你得保证你读写的区域不是你的程序存储的区域。为此你要对你的编程器进行设置，如何你是用的j-link，用keil直接下载的，你可以进行一下设置，进入 “魔术棒”---utilities--seting

程序编程区域设为0x0800 0000--0x0007 0000 。

这样这之后的区域就0x0007 0001--0x0807 FFFF你就可以任意读写了。

程序：

????1、一定要开启HSI时钟。

????2、先擦除后写入。擦除时只能按页擦除。

????3、读写必须是半字(16 bit)。

下面为读写配置函数。

flash.c

#include?"flash.h"

void?Flash_Init(void)
{
	RCC_HSICmd(ENABLE);//开启内部高速时钟	
}

uint8_t?Flash_Write(uint32_t?STARTADDR,?uint16_t?data[],?uint16_t?len)//擦除一页从这一页的开始写一组数据，成功返回0，不成功返回1
{
	FLASH_Status?flashStatus?=?FLASH_COMPLETE;
	uint16_t?i=0;
	FLASH_Unlock();????					//解锁
	FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY?|?FLASH_FLAG_EOP?|?FLASH_FLAG_PGERR?|??FLASH_FLAG_WRPRTERR);	//清除flag??
	flashStatus?=?FLASH_ErasePage(STARTADDR);	//擦除以STARTADDR开始的那一页	
	if(flashStatus?!=?FLASH_COMPLETE)//是否擦除成功，不成功返回1
		return?1;
	for(i=0;?i<len;?i++)
		FLASH_ProgramHalfWord(STARTADDR+2*i,?data[i]);?????//写入数组???
	
	FLASH_Lock();//锁定flash
	
	return?0;
}

void?Flash_Read(uint32_t?startaddr,?uint16_t?len)?
{
	uint16_t?i=0;
	for(i=0;?i<len;?i++)	
		data[i]?=?*(vu16*)(startaddr+i*2);//为什么这个指针是指向flash，而不是内存呢？因为
	//在arm中ram，sdram，flash都映射到同一套地址中，在startaddr所在的这一片地址就是对应着flash
}

测试程序，写进去再读出来，发到串口。

#include?"stm32f10x.h"
#include?"stm32f10x_it.h"
#include?"led.h"
#include?"usart.h"
#include?"stdio.h"
#include?"timer.h"
#include?"dma.h"
#include?"adc.h"
#include?"flash.h"

void?init()
{
	Usart1_Init(115200);
	Flash_Init();
}

#define?STARTADDR?0x0807f800
int?main()
{
	uint8_t?flag?=?0;
	uint8_t?i=0;
	uint16_t?data[5]={1,?2,?3,?4,?5};
	uint16_t?num[5]={0};
	init();
		
	//printf("hello");
	
	
	
	Flash_Write(STARTADDR,?data,?5);
	Flash_Read(STARTADDR,?num,?5);
	
	for(i=0;?i<5;?i++)
	{
		printf("%d",?num[i]);
	}
	
	while(1)；
	
}

认为重要的就这些了，其他的问题可以百度到。