关于STM32闪存擦写次数与数据保存期限的重要说明

http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_103962.HTM#

nor flash寿命及失效模式测试

http://www.cnblogs.com/xilentz/archive/2010/05/27/1745634.html

延长寿命算法（动态平均读写解决了块的 Erase 周期的次数限制）

http://blog.chinaunix.net/uid-20737871-id-1881191.html

FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory。分为nand，nor。

nor flash：寿命10万次。

? ? ? ? ? ?NOR的特点是芯片内执行（XIP,eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。

nand flash（电可擦除和编程只读）：寿命100万~1000万次。动态平均抹写(Dynamic Wear Leveling)技术几乎是NAND Flash控制芯片设计上的必备。

NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储

FLASH的基本知识

http://wenku.baidu.com/link?url=k5opwcpQEM911pqCNJL4jAZ5rFD96r9krAPl4cYt6PsCfNl5US-Ka2XY26UPRLqcl6OwZdxpBZHbAuYk4TjBxZX099KbYiIVXsVSeBPlV47

NAND flash和NOR flash的区别详解

http://www.elecfans.com/bandaoti/cunchu/20120925290176.html

当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
1、NOR的读速度比NAND稍快一些。
2、NAND的写入速度比NOR快很多。
3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。
5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

提高 MSP430G 系列单片机的 Flash 擦写寿命的方法

http://www.21ic.com/app/mcu/201212/153006.htm