arm9 norflash与nandflash启动过程分析

发布时间：2020-12-15 07:08:07 所属栏目：百科来源：网络整理

导读：1)接口区别： NOR FLASH地址线和数据线分开，来了地址和控制信号，数据就出来。 NAND Flash地址线和数据线在一起，需要用程序来控制，才能出数据。通俗的说，就是光给地址不行，要先命令，再给地址，才能读到NAND的数据。而且都是在一个总线完成的。结论是

1)接口区别：
NOR FLASH地址线和数据线分开，来了地址和控制信号，数据就出来。
NAND Flash地址线和数据线在一起，需要用程序来控制，才能出数据。
通俗的说，就是光给地址不行，要先命令，再给地址，才能读到NAND的数据。而且都是在一个总线完成的。
结论是：ARM无法从NAND直接启动。除非装载完程序，才能使用NAND Flash.

2)性能区别

NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

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ARM的nor flash与nand flash启动过程区别

B，s3c2440启动过程详解
1 :地址空间的分配
2 :开发板上一般都用SDRAM做内存，flash（nor、nand）来当做ROM。其中nand flash没有地址线，一次至少要读一页(512B).其他两个有地址线
3 :nandflash不用来运行代码，只用来存储代码，NORflash，SDRAM可以直接运行代码）
4 :s3c2440总共有8个内存banks
? 6个内存bank可以当作ROM或者SRAM来使用
? 留下的2个bank除了当作ROM 或者SRAM，还可以用SDRAM(各种内存的读写方式不一样)
? 7个bank的起始地址是固定的，还有一个灵活的bank的内存地址，并且bank大小也可以改变
5 :s3c2440支持两种启动模式：NAND和非NAND（这里是nor flash）。
具体采用的方式取决于OM0、OM1两个引脚
OM[1:0所决定的启动方式
OM[1：0]=00时，处理器从NAND Flash启动
OM[1：0]=01时，处理器从16位宽度的ROM启动
OM[1：0]=10时，处理器从32位宽度的ROM启动。
OM[1：0]=11时，处理器从Test Mode启动。

当从NAND启动时
? ? cpu会自动从NAND flash中读取前4KB 的数据放置在片内SRAM里（s3c2440是soc），同时把这段片内SRAM映射到nGCS0片选的空间（即0x00000000）。cpu是从0x00000000开始执行，也就是NAND flash里的前4KB内容。因为NAND FLASH连地址线都没有，不能直接把NAND映射到0x00000000，只好使用片内SRAM做一个载体。通过这个载体把nandflash中大代码复制到RAM(一般是SDRAM)中去执行。

当从非NAND flash启动时
? ? nor flash被映射到0x00000000地址（就是nGCS0，这里就不需要片内SRAM来辅助了，所以片内SRAM的起始地址还是0x40000000）. 然后cpu从0x00000000开始执行（也就是在Norfalsh中执行）。

（编辑：李大同）

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