NANDFLASH 中的Bad Block管理

1.Skip Block method(跳过坏块方式)

这种方法通俗易懂。 这个算法开始之前先读取存储器内的所有备用区域。 那些被标
识成 bad block 的地址都被收集起来。 接下来,数据被连续的写入目标 FLASH 器件。 当
目标地址与先前收集的 bad block 地址一致时,跳过坏块,数据被写到下一个好的块中。 然
后继续保留 bad block 中备用区域的标识信息。 所以在程序导入执行之前,使用者的系统通
过读取 Spare area(备用区域)的信息能建立一个 bad block 的地址列表。

2.Reserved Block Area method(保留块区域方式)

三星的“Reserved Block Area method” 基于这样的法则,bad block 在使用者的系
统中能够被好 block (块)所替代。 这种烧录算法工作时首先决定将那些 block (块)用来做
UBA(User Block Area),这些 block (块)将会被 RBA map table 记录,并且对这些 block (块)
进行保留操作。 接下来,算法读取 Spare area(备用区域)的信息然后建立一个 map 列表
到 RBA。 在 RBA 中唯一只有第一和第二个块被用来存储列表和对它进行备份。 这 RBA
中的 map 包含一些有了信息,如用来那些 RBA 中的保留块来代替 bad block。

3.Error Checking and Correction(错误检测和纠正)

使用 ECC 纠错机制是为了让存储的数据完整无误。 软件上出错的几率大概是 10 的-10 次方。 推荐使用的是采用 SECDED (单一的错误纠正/双倍的错误探测) ECC 算法来充分的 利用潜在的 NAND Flash 存储器。