EEPROM、Flash学习总结 (MC9S12DG128)
发布时间：2020-12-15 06:50:28 所属栏目：百科 来源：网络整理
导读：? EEPROM跟Flash程序擦除和编程有严格的流程步骤，一般按照步骤走应该问题不大。这两个模块涉及到的一个主要问题是总线分频算法。这里用的主要是外部晶振的频率跟总线周期，跟总线频率没有直接关系。模块文档中有算法流程图，按照这个来写应该没问题。EEPROM
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EEPROM跟Flash程序擦除和编程有严格的流程步骤，一般按照步骤走应该问题不大。这两个模块涉及到的一个主要问题是总线分频算法。这里用的主要是外部晶振的频率跟总线周期，跟总线频率没有直接关系。模块文档中有算法流程图，按照这个来写应该没问题。EEPROM被擦除后存储器中默认的值是0xFF，擦除EEPROM既是向存储器写0xFF，想要检验存储器是否被完全擦除只要检验EEPROM中是否完全是0xFF即可。我觉得其他存储器跟这个应该类似。
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EEPROM中EDIV算法流程图如下：
例1. 晶振是15KHz，总线频率为10MHz，欲分频为190KHz，求ECLKDIV中EDIV的值。
?a. Tbus = 1/10000000 s = 0.1 us
?b. PRDIV 8 = 0
?c. 0.95MHz < 12.8MHz
d. PRDCLK = 0.95MHz
e.?0.95*(5+0.1) = 4.845非整数
f. EDIV[5:0] = INT(4.845) = 4【注意】机器不是按人的“四舍五入”的习惯，而是截取前面的整数部分，所以这里不是5，而是4。
g. EECLK = 0.95MHz/(1+4) = 0.19MHz = 190KHz
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例2. 晶振是16MHz，总线频率为16MHz，分频至150KHz-200KHz，求ECLKDIV中EDIV的值。
?a. Tbus = 1/16000000 s = 0.0625 us
?b. PRDIV 8 = 0
?c. 16MHz < 12.8MHz
d.PRDIV8=1； PRDCLK = 16/8MHz =2MHz
e.?2*(5+0.0625) = 10.125非整数
f. EDIV[5:0] = INT(10.125) = 10【注意】机器不是按人的“四舍五入”的习惯，而是截取前面的整数部分，所以这里是10。
g. EECLK = 2MHz/(1+10) = 181KHz
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