无限循环并不是防止程序“跑飞”的,而是防止main()返回

这个程序并不能阻止程序的跑飞（应该用看门狗才行），不过这样写也是很正确的做法，就是让程序一直在运行着（原地循环），这里的while(1)并不是防止程序“跑飞”的,而是防止main()返回。

①??? 在嵌入式中main是不能返回的。不同的C语言实现的startup code会有不同的表现，有的是在call _main后jmp，而有的是jmp? 0，等等这些会导致 不可预料的结果。

②??? 在我们写的C语言后转换成汇编，在观察单片机的代码区，你会发现没有写程序的部分例如全1或者全0区域，程序运行到这里如果在往下执行的话，就会有可能造成 意料不到的结果。?? 不过我还没有这样实验过，理论上是这样的，希望大家一起讨论，多多指教。

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路过 打酱油 用看门狗就好

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R8C/1B单片机的Flash编程/擦除挂起功能

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Flash存储器已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。但是在对Flash进行 编程或 擦除的操作过程中，如果 单片机需要处理一些紧急的情况(如中断、数据存储等等)，就需要暂停相对比较消耗时间的Flash编程/擦写过程，优先处理这些紧急情况。这对Flash存储器的工艺水平及控制技术提出了更高的要求。

　　瑞萨公司推出的R8C/1B单片机采用改进的Flash存储器工艺，大大缩短了编程/擦除挂起的时间，使其能够更加及时地响应中断或进行其他操作。

　　Flash编程/擦除挂起功能

　　所谓挂起功能，是指当Flash模块正在执行编程或擦除操作时，CPU改写模式可以暂停当前的Flash操作，将编程或擦除挂起的功能。在编程/擦除挂起的过程中，用户ROM区的内容可通过程序来读取。

　　瑞萨R8C/Tiny单片机在R8C/18以后的产品中(如R8C/1B)，较之以前的产品(如R8C/15)，Flash存储器在编程/擦除挂起功能上有了很大改进，其具体功能的比较请参见表1，编程/擦除挂起操作时序请参见图1。

　　由表1可以看出，R8C/1B单片机所采用的Flash模块工艺在以下方面拥有明显的优势。

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　　挂起时间延迟最长为97μs+6个CPU时钟周期，最长的挂起重新启动时间延迟为3μs+4个CPU时钟周期；R8C/15单片机Flash模块只能在擦除时挂起，但改进Flash工艺的R8C/1B单片机在编程时也可以实现挂起功能；擦除时可以编程。

　　图1为编程/擦除挂起的简单示意图，在编程/擦除开始之后，如果发生了某个中断请求，在等待一段挂起延迟之后，CPU转向中断子程序的处理。中断处理子程序执行之后，Flash存储器继续执行编程或擦除过程，直至操作结束。

　　Flash编程/擦除挂起功能的实现

　　●? EW0模式与EW1模式

　　CPU改写模式是通过固化在单片机程序存储器中的软件命令对Flash存储器进行编程的形式，适合对单片机进行在应用中编程(IAP)的场合，即能够在不使用Flash编程器，且将单片机安装在电路板的状态下实现对Flash的改写。

　　CPU改写模式分为擦除/编程0模式(EW0模式)和擦除/编程1模式(EW1模式)。

　　这两种模式的根本区别在于改写控制程序的执行区域不同。如图2所示，EW0模式中，改写控制程序在Flash存储器以外的区域执行，因此在这种模式下可以改写所有的用户ROM区。EW1模式中，改写控制程序依然存放在用户ROM区的某一个块中，并在此区域执行，因此在这种模式下，除了存有改写控制程序的块以外，其他的用户ROM区都可以被改写。

　　在执行擦除/编程的过程中，在EW0模式下CPU处于正常运行的状态，而在EW1模式下CPU处于保持状态。

　　●? Flash编程/擦除挂起的设定

　　相关的寄存器

　　与Flash编程/擦除挂起相关的寄存器是闪存控制寄存器4(FMR4)，FMR4有6个位均与编程/擦除挂起功能相关，请参见表2。

　　EW0模式的擦除挂起设定

　　对于EW0模式转移到擦除挂起时，首先需要将FMR40位置“1”(允许挂起)、FMR41位置“1”(请求擦除挂起)，然后延迟一段时间(97μs+CPU时钟周期×6)，在确认FMR46位为“1”(允许读)后才能对用户ROM区进行存取。如果将FMR41位置“0”(重新启动擦除)，就重新开始自动擦除。设定过程如图3所示。注意，在EW0模式，请将所使用中断的中断向量表和中断程序存储在RAM区中。

　　EW1模式的擦除挂起设定

　　对于EW1模式，首先需要将擦除挂起功能设定为有效，即将FMR40位置“1”(允许挂起)，并预先将需要响应的可屏蔽中断设定为中断允许状态。这样在执行块擦除命令后，如果该中断产生，经过一段时间延迟后(电气特性推荐值为：97μs+CPU时钟周期×6)，就能执行擦除挂起，并接受中断请求。如果发生中断请求，FMR41位就自动变为“1”，执行擦除挂起。在结束中断处理后，如果自动擦除还没有结束(FMR00位为“0”)，就必须将FMR41位置“0”，重新开始自动擦除。设定过程如图4所示。

　　在EW1模式下执行擦除指令进行Flash擦除时(典型值为200ms/1K字节块)，CPU虽处于HOLD状态，但可以接受中断响应，实现分时擦除。利用这个工作原理，下面给出一个R8C/1B单片机的应用实例，利用Timer(定时器)中断和Flash擦除挂起功能实现对擦除时间的估算。

　　使用TimerX定时1ms，Flash擦除过程中每1ms挂起一次，进入中断处理程序并调整计时变量g_Timers。在擦除结束后，g_Timers所存储的就是擦除时间的估算值。

　　例程如下。

　　#include "sfr_r81b.h"
　　unsigned int g_Timers;//总擦除时间计数变量?

???? 　　/* 定时器X中断处理函数 */
　　#pragma interrupt timerX_ISR
　　void timerX_ISR(){
　　g_Timers++;
　　}
　　/* 检查Data Flash状态寄存器 */
　　unsigned char checkStatusRegister(){
　　return fmr07|fmr06;
　　}
　　/* 清除DataFlash状态寄存器? */
　　void clearStatusRegister(){
　　?*((unsigned char *)0x2400) = 0x50;//执行清除状态寄存器软件命令
　　}
　　/* 块擦除 */
　　unsigned char eraseBlock(unsigned int adr){
　　unsigned char?? result="1";
　　asm("FCLR I");//关中断
　　fmr01 = 0;
　　fmr01 = 1;//进入CPU改写模式
　　fmr11 = 0;
　　fmr11 = 1;//设置为EW1模式&nb

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sp;
　　fmr40 = 0;
　　fmr40 = 1;//允许中断擦除挂起?
　　asm("FSET I");//开中断
　　g_Timers = 0;//计数值清零
　　prex=0x32-1;tx=0x32-1;//定时值1ms
　　txs=1;//定时器X开始计数
　　*((unsigned char *)adr) = 0x20;//执行块擦除软件命令
　　*((unsigned char *)adr) = 0xD0;
　　while(fmr00 != 1){//判断擦除是否结束
　　fmr41 = 0;//中断返回后继续擦除
　　}
　　txs=0;//定时器X停止计数
　　fmr01 = 0;//退出CPU改写模式
　　if(!checkStatusRegister()){//查看状态寄存器
　　result = 0;//擦除成功
　　}
　　else //擦除失败
　　clearStatusRegister();//清除状态寄存器
　　return result;
　　}
　　/* 对MCU进行初始化 */
　　void initMCU(){
　　unsigned char i="0";
　　asm("FCLR I");//关中断
　　//将CPU时钟切换为主时钟20MHz
　　prcr = 1;//解除对cm0,cm1,ocd寄存器的写保护
　　cm13 = 1;//接通 Xin-Xout
　　cm15 = 1;//Xin-Xout驱动能力：高
　　cm05 = 0;//Xin-Xout启动
　　cm16 = 0;//无分频模式
　　cm17 = 0;
　　cm06 = 0;//使CM16,CM17有效
　　while(1){//等待主时钟振荡稳定
　　if(!ocd3){
　　if(i>=10) break;
　　else ++i;
　　}
　　}
　　ocd2 = 0;//选择主时钟
　　prcr = 0;//设定对cm0,ocd寄存器的写保护
　　//设置定时器
　　txmr=0x00;//定时器X设为定时器模式
　　tcss=0x11;//选择计数源为f8
　　txic=0x07;//定时器X中断优先级为7
　　asm("FSET I");//开中断
　　}

　　/* 主函数 */ 　　void main(void) 　　{ 　　unsigned char flag; 　　?initMCU();//对MCU进行初始化 　　?flag = eraseBlock(0x2400);//擦除大小为1kB的块A，块首地址为2400H 　　?while (1); 　　}