ARM中的Flash和RAM

Q1：程序下载到flash和ram中有什么区别？各用在什么场合？是否只有调试程序的初期才将程序下载到ram中？

A1：从ARM来看flash 与ram区别如果只是调试跟踪时,只需将code写到ram中就可以运行啦!但是对于实际产品或者需要写到flash中测试,运行时ARM先运行boot code将功能code解压缩读取送到ram中,然后运行ram中的功能code.

A2：在RAM中运行程序速度快，但关电后RAM中数据会丢失烧入flash后就不会丢失了。有些系统可直接在flash中运行程序，而有些系统则必须将flash中的程序加载到RAM中才能运行。

Q2：请问“有些系统则必须将flash中的程序加载到RAM中才能运行”请问lpc2131是这样运行的吗？

A：lpc2131,包括其他的LPC2000片内带Flash的芯片都不需要加载到RAM中运行。干脆我来解释一下。

Flash的速度较慢，比如－50的Flash，读取只能达20M的速度，而ARM核可以工作在50-60M，甚至更高。那么ARM芯片的CPU执行完一条指令就要等下一条指令读取出来，而不能马上执行下一条。这样因Flash慢而CPU快就造成资源的浪费和系统速度下降。为了解决该矛盾，有厂家采用Flash 中只存储程序（相当于电脑的硬盘），将程序读取到RAM中去执行（类似电脑的内存），那么CPU的速度就能发挥出来。

而Philips的少管脚ARM芯片（LPC2100系列）没有外部总线，不能接外部程序存储器。所以只能使用片内的Flash存储程序。也不能接外部RAM来运行程序。于是Philips采用了一个比较特殊的方法来解决这个速度矛盾。就是在内部Flash和内部总线之间加了存储加速模块，有128位数据宽度，一次可以从Flash中读取4条指令（注意是4条而不是1条），另外再加上预测分支等功能，使得CPU全速运行时，从Flash 中读取的程序能源源不断地输送进CPU，无需等待。只是在有分支（如调用，跳转）时需要清空流水线造成临时性速度稍微下降。我们知道，程序中绝大部分是顺序执行的指令。 所以Philips的LPC2100系列不需要调到RAM中运行。 致于前面的问题，我看下载程序到RAM中运行是为了方便，更快，此情况适合在学习编写小程序时使用，而且不会因下载到Flash而等待。如果程序超出了RAM的范围，那就必须要下载到Flash中运行。每次改一点点程序都要重新下载，会耽误些时间的，特别是很大的程序。前面讲过，Flash的读写速度是比较慢的，肯定比RAM要慢得多。