UBOOOT 移植 之SDRAM NOR FLASH NAND FLASH
发布时间:2020-12-15 06:39:23 所属栏目:百科 来源:网络整理
导读:请教关于lowlevel_init.s修改的问题 我最近开始学习嵌入式,现在想自己动手移植一下UBOOT,虽然看了一些很详细的技术资料,但对其中一些步骤还是糊里糊涂的,这里有2个问题向大家请教。 我用的是MINI2440开发板,我看一份资料讲lowlevel_init.s修改时如下描
请教关于lowlevel_init.s修改的问题
我最近开始学习嵌入式,现在想自己动手移植一下UBOOT,虽然看了一些很详细的技术资料,但对其中一些步骤还是糊里糊涂的,这里有2个问题向大家请教。
我用的是MINI2440开发板,我看一份资料讲lowlevel_init.s修改时如下描述的(用的是U-Boot-2008_10) 1.2.3 修改board/mini2440/lowlevel_init.S文件 -------------------------------------------------------------------------------- (1)修改BWSCON,mini2440 BANK0接NOR Flash,BANK4接DM9000,BANK6接RAM,对于mini2440,只要修改B4_BWSCON即可: #define B3_BWSCON (DW16 + WAIT + UBLB) //#define B4_BWSCON (DW16) #define B4_BWSCON (DW16 + WAIT + UBLB) #define B5_BWSCON (DW16) …… #define B4_Tacs 0x0 /* 0clk */ #define B4_Tcos 0x3 /* 4clk */ #define B4_Tacc 0x7 /* 14clk */ #define B4_Tcoh 0x1 /* 1clk */ #define B4_Tah 0x3 /* 4clk */ #define B4_Tacp 0x6 /* 6clk */ #define B4_PMC 0x0 /* normal */ #define B5_Tacs 0x0 /* 0clk */ (2)然后修改 REFRESH 的刷新周期: #define B7_SCAN 0x1 /* 9bit */ /* REFRESH parameter */ #define REFEN 0x1 /* Refresh enable */ #define TREFMD 0x0 /* CBR(CAS before RAS)/Auto refresh */ #define Trc 0x3 /* 7clk */ #define Tchr 0x2 /* 3clk */ //#define REFCNT 1113 /* period=15.6us,HCLK=60Mhz,(2048+1-15.6*60) */ # if defined(CONFIG_S3C2440) #define Trp 0x2 /* 4clk */ #define REFCNT 1012 #else #define Trp 0x0 /* 2clk */ #define REFCNT 0x4f4 /* period=7.8125us,HCLK=100Mhz,(2048+1-7.8125*100) */ #endif _TEXT_BASE: .word TEXT_BASE ;---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 我的疑问是: 1,从MINI2440的电路图中可以看到,BANK0接NOR Flash,BANK4接DM9000,BANK6接RAM,但在修改lowlevel_init.s时为什么只修改了BANK4,和DM9000相关的部分呢? 另外对于BANK4中这些参数的设定又是以什么为依据呢,为什么是这些值呢?比方说 #define B4_Tacc 0x7 /* 14clk */,为什么要把访问周期设置 为14个时钟周期呢,我看了DM9000的规格书,似乎并没有谈到Tacc,Tcos,等这些参数啊,也没看到详细的时序图中有这些参数啊?只是在S3C2440的规格书第5部分关于 BANKCONn的描述中有这些参数的描述,但取什么值由哪份资料的哪部分描述来决定呢? 2,同样的修改 REFRESH 的刷新周期中,这里的参数设定是以什么为依据的? 看了很多资料都讲这里要修改,但还是没弄明白为什么要这样改?郁闷中。。 ;------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 今天白天时为了搞明白第2个问题中REFRESH是如何设置的,我又把S3C2440和HY57V561620的规格书相关部分看了一遍。发现了 # if defined(CONFIG_S3C2440) #define Trp 0x2 /* 4clk */ #define REFCNT 1012 #else 这段设置中Trp的设置缘由。 S3C2440中REFRESH寄存器的描述部分有对Trp的说明如下: Trp??? SDRAM?? RAS?? pre-charge Time??? 00=2 clocks? 01=3 clocks? 10=4 clocks? 11=Not HY57V561620中恰好提到了这个 RAS/ precharge time?????? Min? 20? ns 这样子的话,看起来应该这样设置Trp的值: 1,因为在START.S中已经把mini2440的系统频率设定为405M,所以一个机器周期就是1/405M=2.4ns 2,SDRAM HY57V561620的规格书又告诉了这个RAS/ precharge time最小值为20ns 3,由1,2推出Trp=20/2.4=8 clocks(没有这个设置项!!) 搞了半天还是没看出这里设置为 #define Trp 0x2 /* 4clk */ 的原因,难道我看错了,他是把频率设置为200M的? ;-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 9/13今天又有了点新发现,原来上次忽略了一个问题,SDRAM使用的是HCLK,并不是FCLK。 因为在START.S中已经把mini2440的系统频率设定为405M,并且设置了FCLK:HCLK:PCLK=1:4:8,所以这里的时间是以HCLK的单位度量的。 HCLK一个时钟周期是1/100M=10ns,SDRAM HY57V561620的规格书又告诉了RAS/ precharge time最小值为20ns,所以这里取4个时钟就可以理解了,它只需比最小值大就可以了。 其他地方的设置还是有疑问,看来不是近期能解决了,决定先往后走了,或许以后有机会明白
为什么REFCNT在 CONFIG_S3C2440定义的情况下取1012呢?这个值怎么算出来的?
根据REFCNT的公式,以及HY57V561620的刷新周期7.8125us,算出来应该就是0x4f4 (1268)啊 为什么要用1012而不是1268呢?
REFCNT他这里设定的是1012而不是我们计算的1268,我后来推测是因为作者是按照133M频率计算的数值(你把133带入公式就是他算出的值),而不是按照100M计算的。
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