【二十八】 ARM——存储器篇
【二十八】 ? ARM——存储器篇 ?? page :25 (1)ARM存储器的分类:非易失性存储器(NVM): ROM? { ?ROM、PROM、EPROM、EEPROM ?} ;(EEPROM表示:电可擦除编程ROM) Flash { ?NOR Flash、NAND Flash ?} NAND Flash具有位反转的特性,需要采用(EDC/ECC纠错的算法) 注:Flash的编程原理都是只能将1写成0,而不能够将0写成1,。所以在Flash编程器前,必须将对应的块擦除,而擦出的过程其实就是把所 有位都写为1的过程,快内的所欲字节变为0xFF; 易失性存储器的RAM? ? SRAM:静态,供电就会保存一个值,没有刷新周期 DRAM:动态,以电荷的形式进行了存储,数据存放在电容上,需要定期的刷新来维持电容的电量。 DRAM(SDRAM、DDR、SDRAM都属于DRAM的范畴) 嵌入式还有用到一些特殊类型的存储器,如DPRAM称之为双端口的RAM、 ? ? ?内容全部本人来自阅读《设备驱动开发详解 第二版》 华清远见嵌入式培训中心 宋宝华 编著?这本书后的笔记。 (编辑:李大同) 【声明】本站内容均来自网络,其相关言论仅代表作者个人观点,不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利,请及时与联系站长删除相关内容! |