nandflash SLC与MLC比较
K9F4G08U0D结构图: SLC和MLC(现在主流,分新老制程,60NM 和56/50NM )SLC是Single level cell的缩写,意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell,意为该技术允许2 bit的数据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。 SLC的技术存储比较稳定,SLC的技术也最为成熟。然而MLC可以在一个单元中有2bit数据,这样同样大小的晶圆就可以存放更多的数据,也就是成本相同的情况下,容量可以做的更大,这也是同样容量,MLC价格比SLC低很多的原因。通常情况下相同容量的MLC和SLC,MLC的价格比SLC低30%~40%,有些甚至更低。 1、 看Flash的型号:根据Flash的命名规则,进行区分。 2、 测试读写速度:SLC的非常快,MLC的很慢。 3、 进行格式化,看是否稳定: MLC的理论可写入次数仅为1万次左右,SLC的可达到10万次左右。 NAND Flash SLC、MLC技术 什么是SLC? SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存,单级单元 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。 SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄,在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压,然后透过源极,即可将所储存的电荷消除,通过这样的方式,便可储存1个信息单元,这种技术能提供快速的程序编程与读取,不过此技术受限于Silicon efficiency的问题,必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements),才能向上提升SLC制程技术。 什么是MLC? MLC英文全称(Multi Level Cell——MLC)即多层式储存,多级单元。主要由东芝、Renesas、三星使用。 英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功MLC,其作用是将两个单位的信息存入一个Floating Gate(闪存存储单元中存放电荷的部分),然后利用不同电位(Level)的电荷,通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级,每一个单元储存两位数据,数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此,MLC架构可以有比较好的储存密度。MLC内存颗粒是个相当良好的低价解决方案,可大幅节省制造商端的成本,但是MLC NAND颗 粒制成的CompactFlash卡相较于SLC(Single-Lecel_Cell)内存颗粒的产品有着写入速度慢、耗电多、寿命短的缺点,MLC颗粒制成的产品只有10X(1.5Mbyte/sec)的写入速度,SLC 颗粒制成的产品可以达到 22X(3.2Mbyte/sec)的写入速度。
签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主,我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此MLC架构的储存密度较高,容量大,并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量,无须额外投资生产设 备,拥有成本与良率的优势。 与SLC比较MLC的缺点: MLC架构有许多缺点,首先是使用寿命较短,SLC架构可以存取10万次,而MLC架构只能承受约1万次的存取。 如果你对容量要求不高,但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高,那么SLC闪存芯片的首选。但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多,所以目前2G以上的大容量,低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片。 SLC与MLC的识别:
官网上查到。 次数的问题已经有了相当多的解决方法,例如采用三星主控芯片,wear leveling技术,4bit ECC校验技术,都可以在采用MLC芯片的时候同样获得很好的使用效果,其性能和使用SLC芯片的没有什么差别,而会节省相当多的成本. (编辑:李大同) 【声明】本站内容均来自网络,其相关言论仅代表作者个人观点,不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利,请及时与联系站长删除相关内容! |