MTD坏块管理(二)-内核获取Nandflash的参数过程

MTD坏块管理机制中，起着核心作用的数据结构是nand_chip，在此以TCC8900-Linux中MTD的坏块管理为例作一次介绍。

MTD在Linux内核中同样以模块的形式被启用，TCC_MTD_IO_Init()函数完成了nand_chip初始化、mtd_info初始注册，

坏块表的管理机制建立等工作。

nand_chip在TCC_MTD_IO_Init函数中的实例名称是this,mtd_info 的实例名称为TCC_mtd,这里有一个比较巧妙的处理方法：

TCC_mtd=kmalloc(sizeof(struct mtd_info)+sizeof(struct nand_chip),GFP_KERNEL);

this=(struct nand_chip*)(&TCC_mtd[1]);

在以后的操作中，只需得知TCC_mtd即可找到对应的nan_chip实例。

获得必要的信息后(包括nand_chip方法的绑定)，流程进入nand_scan(TCC_mtd,1).

nand_scan(struct mdt_info *mtd,int maxchips);

调用nand_scan_ident(mtd,maxchips)和nand_scan_tail(mtd)；

nand_scan_ident(...)调用了一个很重要的函数：nand_get_flash_type(...)

*从nand_get_flash_type(...)函数中可以看出每个nandflash前几个字节所代表的意思都是约定好了的：

第一个字节：制造商ID

第二个字节：设备ID

第三个字节：MLC 数据

第四个字节：extid （比较总要）

其中设备ID是访问nand_flash_ids表的参照，该表在drivers/mtd/nand/nand_ids.c中定义

Linux内核在nand_flash_ids参照表中，通过匹配上述设备ID来查找nandflash的详细信息，

nand_flash_ids中的举例如下：

struct nand_flash_dev nand_flash_ids[]={

......

{"NAND 16MiB 1,8V 8-bit",? 0x33,512,16,0x4000,0},

{"NAND 16MiB 3,3V 8-bit",? 0x73,

{"NAND 16MiB 1,8V 16-bit",?0x43,NAND_BUSWIDTH_16},3V 16-bit",?0x53,

......

}

466 struct nand_flash_dev {

467 ? ? char *name;

468 ? ? int id;

469 ? ? unsigned long pagesize;

470 ? ? unsigned long chipsize;

471 ? ? unsigned long erasesize; ? ?

472 ? ? unsigned long options; ? ? ?

473 };?

值得一提的是，MTD子系统会把从nand_flash_ids表中找到的chipsize复制给mtd->size，这在有些应用中显得不合适，

在有些方案中，并不是把nandflash的所有存储空间都划分为MTD分区，Telechips的TCC89XX方案就是这样，4G的nandflash

上，可以划分任意大小的MTD分区，错误的mtd->size的后果非常严重，造成系统启动慢，整个MTD的坏块管理机制瘫痪等等。

随后，nand_get_flash_type通过extid计算出了以下信息：

mtd可写区大小：mtd->writesize=1024<<(extid&0x03);

这里可以看成1024*(1*2的(extid&0x03)次方)，

mtdoob区大小：extid>>=2;mtd->oobsize = (8<<(extid&0x1))*(mtd->writesize>>9);

每512字节对应(8*2的(extid&0x1)次方)字节oob数据

mtd擦写块大小：extid>>=2;mtd->erasesize=(64*1024)<<(extid&0x03);

nand数据宽度 ：extid>>=2;busw=(extid&0x01)?NAND_BUSEWIDTH_16:0; 现在大多为8位数据宽度

可以看出第四个字节extid的意义：

高|0 ? ?| ?0 ? ? ? ?| ? 00 ? ? ? ?| 0 ? | 0 ? ? ? ? | ?00 ? ? ? ? ? |低

?? |无用|数据宽度|擦写块算阶|无用|oob算阶| ?可写区算阶|

nand_get_flash_type(...)还确立了nandflash中的坏块标记在oob信息中的位置:

if(mtd->writesize>512||(busw&NAND_BUSWIDTH_16))

?? ?chip->badblockpos = NAND_LARGE_BADBLOCKS_POS;//大页面flash的坏块信息存储地址为oob信息中的第1个字节开始处

else

?? ?chip->badblockpos = NAND_SMALL_BADBLOCKS_POS;//大页面flash的坏块信息存储地址为oob信息中的第6个字节开始处

对于Samsun和Hynix的MLC型nandflash，坏块标记所在的页是每块的最后一个页，而Samsung，Hynix，和AMD的SLC型nandflash

中，坏块标记分别保存在每块开始的第1,2个页中，其他型号的nandflash大多都保存在第一个也中，为此需要作下标记：

坏块标记保存在块的最后一页中：chip->options |= NAND_BBT_SCANLASTPAGE;

坏块标记保存在块的第1,2页中 ：chip->options |= NAND_BBT_SCAN2NDPAGE;

nand_scan之后调用nand_scan_tail(mtd)函数，

nand_scan_tail(...)函数主要完成MTD实例中各种方法的绑定，例如：

3338 ? ? mtd->read = nand_read;

3339 ? ? mtd->write = nand_write;

3340 ? ? mtd->panic_write = panic_nand_write;

3341 ? ? mtd->read_oob = nand_read_oob;

3342 ? ? mtd->write_oob = nand_write_oob;

3343 ? ? mtd->sync = nand_sync;

nand_scan_tail(...)调用chip->scan_bbt()完成坏块表的有关操作。

chip->scan_bbt的绑定过程是在nand_scan_ident()->nand_set_defaults():chip->scan_bbt = nand_default_bbt.

即真正用于坏块操作的是nand_default_bbt函数，该函数在nand_bbt.c中被定义。